Search the Community

Компания Samsung Electronics объявила о разработке первых в отрасли микрочипов памяти LPDDR5 DRAM ёмкостью 8 Гбит, которые будут изготавливаться по технологии 10-нанометрового класса. Изделия предназначены для использования в смартфонах с поддержкой мобильной связи пятого поколения (5G), а также в устройствах со средствами искусственного интеллекта (AI). Отмечается, что решения LPDDR5 обеспечивают скорость передачи данных до 6400 Мбит/с. Это приблизительно в полтора раза больше по сравнению с современными чипами LPDDR4X (4266 Мбит/с). Изделия LPDDR5 DRAM будут предлагаться в двух модификациях: 6400 Мбит/с с рабочим напряжениям 1,1 В и 5500 Мбит/с с рабочим напряжением 1,05 В. Samsung Electronics отмечает, что новые чипы характеризуются высокой энергетической эффективностью. По сравнению с решениями предыдущего поколения выигрыш в энергопотреблении может достигать 30 %. Ожидается, что новые чипы памяти найдут применение в мобильных устройствах нового поколения, автомобильных медиацентрах, системах машинного обучения и пр. Массовое производство планируется организовать после получения соответствующих заказов от участников рынка.

Как сообщает интернет-ресурс News1 Korea, ответственный руководитель компании Samsung Electronics на днях подтвердил намерение производителя выпускать микросхемы оперативной памяти типа DRAM с использованием сканеров диапазона EUV (13,5 нм). Ранее о такой возможности уже сообщалось, но теперь прозвучал официальный комментарий Samsung. С помощью EUV-проекции предполагается выпускать 16-нм DRAM с началом коммерческого производства к 2020 году. Впоследствии с помощью EUV-проекции компания планирует также выпускать 17-нм память. В настоящий момент, напомним, Samsung для выпуска микросхем памяти использует 193-нм сканеры. Компания уже приступила к производству DRAM с использованием второго поколения техпроцесса с нормами класса 10 нм (это 17-нм или 16-нм техпроцесс, тогда как первое поколение техпроцесса опиралось на 18-нм нормы). Как видим, компания прекрасно справляется с выпуском DRAM без перехода на EUV-сканеры. Для этого для изготовления критически важных слоёв она использует последовательно по четыре фотошаблона и четыре цикла обработки (технология Quadruple Patterning Technique, QPT). Кстати, она первой в мире применила четырёхкратную проекцию для выпуска памяти и снова станет первой, если начнёт выпускать память с помощью литографии EUV. В идеальном случае сканеры диапазона EUV помогут сократить число производственных циклов (и фотошаблонов) для изготовления каждого слоя с четырёх циклов до одного. Это касается выпуска памяти 10-нм класса, для выпуска DRAM с нормами от 7 нм и ниже потребуется больше одного шаблона на слой. Попросту говоря, Samsung намерена существенно сократить затраты на производство DRAM практически без увеличения роста плотности записи. Что касается конкурентов, то компания Micron разрабатывает 13-нм DRAM, которую рассчитывает начать выпускать с 2020 года в Японии на бывших заводах Elpida Memory. Будет ли она использовать для этого сканеры EUV, сейчас неизвестно, разработка техпроцесса только стартовала. Компания SK Hynix готовится выпускать в 2019 году DRAM с использованием техпроцесса с нормами 17 или 16 нм. Сканеры EUV она при этом использовать не будет. Поэтому существует ненулевая вероятность, что Samsung снова совершит маленькую революцию, первой начав выпускать чипы DRAM на ультрасовременном EUV-оборудовании.

На протяжении последних кварталов наблюдается рост цен на память DRAM и NAND. Его объясняют тем, что объемы выпуска этой продукции не поспевают за спросом. А недостаточные объемы выпуска, в свою очередь, списывают на трудности при освоении отраслью новых технологий: в случае DRAM это уменьшение технологических норм, а в случае NAND — переход к объемной компоновке (3D NAND). Департамент контроля цен китайской национальной комиссии по развитию и реформам не считает такое объяснение достаточно убедительным. Резкий рост цен за последние полтора года привлек внимание регулятора, который намерен провести расследование. У комиссии есть подозрения, что рост цен стал результатом «скоординированных действий». Проще говоря, сговора производителей. Рост цен отрицательно повлиял на показатели китайских производителей смартфонов. А больше всего выиграли от роста цен на DRAM южнокорейские компании Samsung и SK Hynix. Какими будут для них последствия расследования, пока говорить рано. Представители Samsung и SK Hynix отказались комментировать ситуацию.

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства передовых микрочипов памяти DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM, обладающих ёмкостью 8 Гбит. Утверждается, что впервые в отрасли задействована технология 10-нанометрового класса (1y-nm) второго поколения. По сравнению с методикой первого поколения удалось добиться улучшения ключевых показателей. В частности, новые чипы демонстрируют увеличение быстродействия приблизительно на 10 % по сравнению с изделиями аналогичной ёмкости, выполненными по технологии 10-нанометрового класса первого поколения. Скорость передачи информации повышена с 3200 до 3600 Мбит/с в расчёте на один вывод. В то же время энергетическая эффективность возросла на 15 %. Улучшения ключевых характеристик удалось добиться за счёт внедрения новых технологий, в частности, проприетарной схемотехники. Отмечается, что новое достижение поможет Samsung ускорить вывод на рынок чипов памяти следующего поколения. Речь, в частности, идёт об изделиях DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6. Для этих решений названа широкая сфера применения: это серверное оборудование, высокопроизводительные системы, суперкомпьютеры, мобильные устройства и графические ускорители.

Уже примерно год цены на компьютерную память растут и не собираются падать. Они даже не спешат стабилизироваться, поскольку производители DRAM не имеют резерва для увеличения объёмов производства. Более того, переход на производство памяти с нормами класса 10 нм ведёт к удлинению производственных циклов, что прямо и негативно сказывается на количестве выпускаемых микросхем. Для решительной ликвидации дефицита требуются новые линии, с чем производители DRAM явно не спешат. Разорвать порочный круг доминирования спроса над предложением взялась компания Samsung Electronics. По сообщениям южнокорейских источников, Samsung намерена инвестировать в один из своих заводов по производству памяти порядка $2,64 млрд. Это предприятие 17 Line вблизи города Хвасон (Hwasung). Озвученные объёмы вложений позволят увеличить мощность предприятия на 35 тыс. 300-мм пластин в месяц. Данные инвестиции уже четвёртые по счёту. В настоящий момент завод 17 Line способен ежемесячно обрабатывать до 40 тыс. 300-мм пластин. Закупка производственного оборудования для расширения линий уже началась. Старт массового производства DRAM класса 10 нм на линиях 17 Line ожидается во второй половине текущего года. В то же время на закрытие бреши на рынке памяти после этого потребуются ещё месяцы и месяцы. Будем надеяться, что примеру Samsung последуют конкуренты. Вряд ли кому-то из соперников Samsung понравится передел долей на рынке памяти. Инициатива компании Samsung может стать своеобразным снежным комом, который способен вызвать лавину, как это обычно бывает на высококонкурентном рынке. Добавим, нынешнее расширение линий на заводе 17 Line Samsung станет последним. На предприятии больше не окажется свободного места для установки промышленного оборудования. Тем самым компания Samsung начинает задумываться о строительстве нового предприятия рядом с действующим. На новом заводе планируется начать производство системной логики и процессоров с использованием 7-нм техпроцесса.