Перейти к содержанию

В ближайшие три года Samsung потратит на развитие полупроводникового бизнеса не менее $43 млрд


Рекомендуемые сообщения

Ещё вчера стало известно, что Samsung готова вложить более $200 млрд в развитие различных сфер своего бизнеса в ближайшие три года. Теперь появилась более подробная информация о распределении этих средств. Полупроводниковый бизнес компании, например, получит за три года не менее $43 млрд. В эту сумму могут войти и затраты на строительство новых предприятий.

Катализатором активности Samsung Electronics в инвестиционной сфере, как справедливо ожидалось, стал выход из мест лишения свободы вице-президента компании Ли Джэ Ёна, который на правах наследника империи принимает подобные решения. 

Как отмечает издание Business Korea, часть средств, выделенных на развитие полупроводникового бизнеса, будет направлена на строительство новых предприятий в Пхёнтхэке и найм персонала, способного ускорить освоение 3-нм техпроцесса.

Не собирается Samsung отставать и от других производителей памяти, поэтому в данной сфере дополнительные средства будут направлены на использование так называемой EUV-литографии при производстве чипов оперативной памяти, а также создание твердотельной памяти 3D NAND с количеством слоёв более 200 штук с опережением ранее намеченного графика. Micron Technology и SK hynix недавно завершили разработку 176-слойной памяти, поэтому Samsung приходится держать себя в форме, чтобы не отставать от конкурентов.

Декларация намерений в сфере инвестиций вызвала рост курса акций Samsung Electronics более чем на три процента впервые с февраля текущего года. Котировки акций прочих подразделений корейского конгломерата тоже выросли на пару процентов.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь

Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий

Создать учетную запись

Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!

Регистрация нового пользователя

Войти

Уже есть аккаунт? Войти в систему.

Войти
×
×
  • Создать...