SK hynix объявила о начале поставок образцов памяти HBM4E

[душман]

Samsung Electronics начала поставлять клиентам образцы HBM4E ещё в конце мая, поэтому для конкурирующей SK hynix сокращение отставания от неё было делом первостепенной важности. Как и ожидалось, о начале поставок своих образцов HBM4E вторая из компаний объявила в текущем месяце, а именно — в четверг. Из пресс-релиза на сайте SK hynix становится понятно, что её крупные клиенты начали получить от неё образцы 12-ярусных микросхем памяти HBM4E, которые достигают скорости передачи информации 16 Гбит/с в пересчёте на один контакт. 

При их изготовлении используется технология MR-MUF, повышающая тепловое сопротивление на 17 % при одновременном улучшении стабильности. Энергетическая эффективность HBM4E в исполнении SK hynix возросла более чем на 20 % по сравнению с микросхемами предыдущего поколения. В одном стеке с 12 ярусами располагается 48 Гбайт памяти HBM4E.

Когда появятся серийные экземпляры HBM4E, компания не уточняет, также пока нет ясности, есть ли среди получающих первые образцы её клиентов Nvidia. Впрочем, поскольку последняя является одним из крупнейших потребителей памяти класса HBM, в сотрудничестве двух компаний в данной сфере сомневаться почти не приходится.