Samsung и SK hynix вложили в расширение производства памяти в Китае почти $1 млрд за прошлый год

[душман]

Ещё при президенте Байдене власти США пытались ограничить способность южнокорейских производителей памяти модернизировать и расширять свои предприятия на территории Китая, которые выдают основной объём продукции для мирового рынка. Тем не менее, Samsung и SK hynix умудрились сохранить доступ к американскому оборудованию для выпуска памяти, одновременно вкладываясь в модернизацию производства в Китае.

По крайней мере, как отмечает Business Korea, в прошлом году Samsung Electronics на модернизацию своего предприятия в китайском Сиане потратила $344 млн, что на 67,5 % больше затрат предыдущего года. Данное предприятие является единственной зарубежной площадкой Samsung по выпуску микросхем памяти NAND, причём оно обеспечивает до 40 % объёмов производства продукции для мирового рынка. 

Надо сказать, что инвестиции в китайский завод Samsung не были регулярными, после вложения $464 млн в 2019 году она на протяжении четырёх лет не подпитывала его существенными финансовыми ресурсами. В 2024 году компания направила на поддержку предприятия $184 млн, а в прошлом году увеличила сумму сразу на 67,5 %. Конкурирующая SK hynix в свои китайские предприятия по итогам прошлого года вложила более $663 млн.

Поскольку в Уси она располагает заводом по производству DRAM, а в Даляне ей от Intel досталась фабрика по производству 3D NAND. Первая из площадок в прошлом году удостоилась удвоенных инвестиций в размере $190 млн, а вторая получила $293 млн, что в полтора раза больше инвестиций 2024 года. Впервые с 2022 года, когда SK hynix купила у Intel предприятие в Даляне, этой компании пришлось вкладывать в свою китайскую производственную базу более $660 млн. В южнокорейской национальной валюте данная сумма составляет психологически важное значение в 1 трлн вон. В условиях бума ИИ память стала дефицитным товаром, поэтому доминирующие на рынке южнокорейские компании активно наращивают её выпуск.