SK hynix готовит 16-гигабитные чипы LPDDR6 со скоростью 10,7 Гбит/c

[душман]

SK hynix объявила о разработке 16-гигабитных чипов оперативной памяти LPDDR6 на основе техпроцесса 10-нм класса шестого поколения (1c). По словам производителя, он недавно завершил первую в отрасли проверку 1c LPDDR6, впервые продемонстрировав продукт на выставке CES 2026.

Новая память предназначена для смартфонов и планшетов, способных выполнять задачи, связанные с технологиями искусственного интеллекта непосредственно на устройстве. По данным SK hynix, новая память LPDDR6 обеспечивает увеличение скорости обработки данных на 33 % по сравнению с LPDDR5X, и обладает базовой рабочей скоростью более 10,7 Гбит/с, что превышает максимальную скорость LPDDR5X текущего поколения.

SK hynix также заявляет, что новая память обладает на 20 % более высокой энерго-эффективностью по сравнению с предыдущим поколением. Компания объясняет это суб-канальной структурой и динамическим масштабированием напряжения и частоты (DVFS). Конструкция с субканалами позволяет работать только необходимым каналам передачи данных, в то время как DVFS регулирует напряжение и частоту в зависимости от рабочей нагрузки и условий работы устройства.

По словам SK hynix, эти изменения призваны улучшить время автономной работы и производительность многозадачности мобильных устройств. При более высоких нагрузках, таких как игры, память может повысить уровень производительности для увеличения пропускной способности. При более низком уровне использования она может снизить частоту и напряжение для уменьшения энергопотребления.

SK hynix планирует завершить подготовку к серийному производству 1c LPDDR6 в первой половине 2026 года и начать поставки во второй половине текущего года. По словам компании, этот продукт расширит линейку DRAM для мобильных устройств, ориентированных на искусственный интеллект, поскольку производители продолжают внедрять всё больше вычислений ИИ непосредственно в телефоны и планшеты.