TSMC приступила к массовому производству 2-нм чипов без лишнего шума

[душман]

Четвёртый квартал уходящего года давно значился в планах TSMC в качестве периода запуска массового производства 2-нм изделий, и если ориентироваться на опубликованную на официальном сайте компании информацию, старт выпуска состоялся на предприятии Fab 22 на юге Тайваня в Гаосюне.

Об этом сообщает ресурс Tom’s Hardware, анализирующий всю имеющуюся на данный момент информацию на эту тему. В первом поколении техпроцесс N2 в исполнении TSMC должен обеспечить прирост быстродействия в 10–15 % при неизменном энергопотреблении, либо снижение последнего на 25–30 % при неизменном уровне быстродействия транзисторов. Плотность размещения транзисторов по сравнению с техпроцессом N3E удастся увеличить на 15 % для чипов смешанного дизайна, только для логических компонентов она возрастёт на величину до 20 %.

Впервые TSMC будет использовать структуру транзисторов с окружающим затвором (GAA) именно в рамках 2-нм техпроцесса и его последующих вариаций. Новая геометрия улучшает контроль за электростатическими параметрами, снижает токи утечки и обеспечивает уменьшение размеров транзисторов без ухудшения быстродействия или энергетической эффективности. Кроме того, в рамках техпроцесса N2 будут использоваться конденсаторы типа SHPMIM в подсистеме питания чипов. По сравнению с прошлыми SHDMIM, они увеличивают ёмкостную плотность более чем в два раза и снижают сопротивление, что обеспечивает более стабильное питание и повышает общую энергетическую эффективность.