Samsung стала на шаг ближе к HBM4 — компания готова к выпуску DRAM шестого поколения

[душман]

Компания Samsung Electronics получила внутреннее подтверждение готовности к массовому производству оперативной памяти DRAM шестого поколения. Компания завершила процесс разработки передового техпроцесса 1c класса 10 нм, передаёт Korea Herald. Это приближает Samsung к выпуску памяти HBM4. Ранее стало известно, что при тестировании техпроцесса 1c Samsung удалось добиться выхода годной продукции на уровне от 50 % до 70 %. Таким образом, корейский производитель укладывается в установленный им самим график смены поколений продукции примерно раз в два года. 

Он имеет особое значение для стратегии Samsung в области памяти с высокой пропускной способностью — запуск массового производства стеков HBM4 на базе DRAM шестого поколения запланирован на вторую половину этого года. В мае компания объявила, что в производстве HBM4 будет использовать технологию гибридного соединения — она помогает снизить тепловыделение, обеспечивая при этом высокую пропускную способность памяти. 

Она будет отвечать растущим требованиям, которые предъявляются к компонентам для ускорителей искусственного интеллекта и систем высокопроизводительных вычислений. В настоящее время доминирующая на рынке HBM компания SK hynix также ведёт разработку HBM4, но на базе DRAM пятого поколения. 

В марте она начала поставлять крупнейшим клиентам образцы HBM4 с расчётом запустить массовое производство этой памяти также во второй половине года. Samsung ещё предстоит получить одобрение своего варианта HBM4 от Nvidia, которая может обеспечить её заказами в больших объёмах; корейский производитель также ожидает одобрения 12-слойной HBM3E — здесь она рассчитывает на сотрудничество и с Nvidia, и с AMD.