Samsung договорилась о поставках HBM3E для ускорителей AMD Instinct MI350

[душман]

Память типа HBM3E производства Samsung Electronics чаще всего фигурирует в новостях в контексте неудач с её сертификацией под требования Nvidia, но издание The Chosun Daily на днях заявило, что именно Samsung будет снабжать новейшие ускорители AMD Instinct MI350 памятью типа HBM3E в 12-ярусном исполнении.

В следующем году, когда начнётся выпуск ускорителей AMD Instinct MI400, компания Samsung рассчитывает наладить поставки памяти типа HBM4. По некоторым оценкам, Samsung также может приступить к снабжению своей памятью HBM3E компании Nvidia уже в текущем месяце, хотя некоторые источники подобного оптимизма не разделяют. 

Они утверждают, что третья попытка Samsung пройти сертификацию своей HBM3E по критериям Nvidia провалилась, и новый шанс будет предоставлен не ранее сентября текущего года. AMD недавно объявила, что снабжать её ускорители Instinct MI350X и MI355X памятью HBM3E в 12-ярусном исполнении будут компании Samsung Electronics и Micron Technology. 

Скорее всего, в случае с продукцией Samsung речь идёт о 12-ярусных стеках HBM3E объёмом 36 Гбайт. При их создании компания применила ряд инноваций, которые позволили сохранить общую высоту стека на уровне 8-слойного варианта. Ускорители AMD Instinct MI400 могут получить до 432 Гбайт памяти типа HBM4. А серверная стойка Helios на их основе увеличит объём памяти до 31 Тбайт, объединяя до 72 ускорителей этой модели. Считается, что основные игроки рынка микросхем памяти в лице Samsung и SK hynix приступят к массовому производству HBM4 до конца текущего года. На соответствующем этапе развития рынка Samsung надеется отыграться за неудачи с HBM3E.