Японская Renesas передумала выпускать силовые полупроводники на базе карбида кремния

[душман]

Подавляющая часть японских производителей полупроводниковой продукции вынуждена полагаться на зрелые техпроцессы, но некоторые из них видели шанс на рост выручки в переходе на работу с карбидом кремния (SiC), который позволяет выпускать выносливые силовые полупроводниковые изделия, пригодные для использования в электромобилях. Renesas соответствующий план, тем не менее, провалила.

Как отмечается в публикации Nikkei Asian Review, компания Renesas Electronics отказалась от намерений организовать производство силовой электроники на основе карбида кремния на своём предприятии в японском Такасаки. Оно должно было подвергнуться модернизации для выпуска силовых компонентов на основе карбида кремния. Этот материал позволяет гораздо лучше переносить высокие токи и температуры, что важно для бортовых систем электромобилей.

Ставки производителей чипов на рост этого сегмента рынка не оправдались, поскольку в прошлом году рынок компонентов из карбида кремния увеличил выручку только на 18 % до $2,69 млрд против ожидаемого роста на 27 %. Сославшись на суровые рыночные условия, которые выражались не только в низком спросе на новый тип силовой электроники, но и высокую конкуренцию со стороны китайских производителей, Renesas от своих намерений отказалась.

И заодно распустив команду специалистов, которой предстояло заниматься выпуском SiC-решений на предприятии в Такасаки. Китайские конкуренты, по своему обыкновению, завалили рынок более дешёвыми компонентами данного типа, при нынешнем уровне цен японским компаниям заниматься выпуском таких чипов было просто невыгодно.