Intel наметила два пути производства 14-ангстремных чипов — с High-NA и запасной с Low-NA

[душман]

Во время конференции Foundry Direct 2025 компания Intel представила стратегию использования литографии High-NA EUV в рамках будущего техпроцесса 14A. Хотя компания активно продвигает внедрение этой технологии, окончательное решение о её применении в серийном производстве пока не принято. Вместо этого Intel разработала резервный план, предусматривающий использование стандартной литографии Low-NA EUV для техпроцесса 14A. По словам представителей компании, оба варианта не потребуют модификации дизайнов чипов со стороны заказчиков.

При этом второй экземпляр установки High-NA EUV — ASML Twinscan NXE:5000 стоимостью около $400 млн — уже установлен на заводе Intel в штате Орегон, но пока не используется в производственной среде из-за продолжающейся стадии разработки. По этой причине компания воздерживается от преждевременного внедрения, минимизируя технологические риски. Исполнительный вице-президент Intel, технический директор по операциям и руководитель подразделения Foundry Technology and Manufacturing доктор Нага Чандрасекаран подчеркнул, что производственные параметры High-NA соответствуют ожиданиям, и компания внедрит эту технологию тогда, когда сочтёт это целесообразным.

Доктор Чандрасекаран сообщил, что у Intel уже имеются данные по техпроцессам 14A и 18A, демонстрирующие паритет по выходной годности между решениями на базе Low-NA EUV и High-NA EUV. По его словам, компания продолжает техническое совершенствование обоих направлений и обеспечивает наличие альтернативных маршрутов, чтобы выбранное решение минимизировало риски для клиентов и обеспечивало наилучший результат с точки зрения стратегических задач.