Китай ускорил локализацию полупроводников и за полгода потратил на это больше, чем США, Корея и Тайвань вместе

[душман]

Локализация полупроводниковой отрасли в Китае стремительно набирает обороты, превращаясь в одну из важнейших стратегических целей страны. За первые шесть месяцев 2024 года Китай потратил рекордные $25 млрд на закупку оборудования для производства микросхем, превысив суммарные расходы Тайваня, Южной Кореи и США. Эти инвестиции подчёркивают стремление Китая ускорить обретение технологической независимости, что особенно актуально на фоне обострения санкций США.

На сегодняшний день китайские компании обеспечивают производство микросхем практически на всех этапах технологической цепочки, за исключением литографического оборудования, где у Китая пока сохраняется зависимость от западных технологий. В то же время китайские производители активно развивают сегмент памяти DRAM, сосредотачивая усилия на выпуске DDR4 и LPDDR4. Растущий спрос на память, обусловленный развитием ИИ, предоставляет уникальные возможности для китайских компаний конкурировать с международными лидерами, которые уже работают над технологиями нового поколения, такими как DDR5 и HBM. 

Переход к новым стандартам становится ключевым приоритетом для Китая в ближайшие годы. Китай добился значительного прогресса в производстве современных микросхем их карбида кремния (SiC), который стал основой для новых технологий. За последние два года более 100 китайских компаний вошли в этот сектор, а 50 новых проектов, по данным ресурса DRAMeXchange, ожидают завершения в 2024 году. Уже построены две производственные линии для обработки 200-мм SiC-пластин: первая, созданная компанией UNT, располагается в Шаосине, а вторая принадлежит компании Silan Microelectronics. 

Последний проект, запущенный 18 июня, привлёк инвестиции в размере 12 млрд юаней и стал первой в стране линией по производству чипов на основе 200-мм SiC-пластин для силовой электроники. Китайские фабрики продолжают занимать лидирующие позиции в производстве чипов по зрелым техпроцессам. Согласно отчёту TrendForce, к 2025 году их доля в общем объёме мощностей десяти крупнейших мировых производителей достигнет более 25 %. Основной прирост мощности придётся на узлы 28/22 нм, а общий рост мощностей в сегменте составит 6 %. Тем не менее, усиление конкуренции на этом рынке может привести к снижению цен. Помимо этого, китайские предприятия совершенствуют специализированные технологии, такие как HV-платформы, где массовое производство 28-нм решений намечено было на 2024 год.