SK hynix запустит массовое производство 12-слойных стеков памяти HBM3E уже в этом месяце

[душман]

Южнокорейская компания SK hynix, второй по величине производитель микросхем памяти в мире, начнёт массовый выпуск 12-слойных стеков высокоскоростной памяти HBM3E к концу текущего месяца. Об этом пишет издание Reuters со ссылкой на заявление одного из руководителей высшего звена производителя.

Заявление о скором старте массового производства памяти HBM3E сделал Джастин Ким, президент и глава подразделения SK hynix для ИИ-инфраструктуры, выступая на отраслевом форуме Semicon Taiwan в Тайбэе.SK hynix ещё в июле раскрыла планы по поставкам чипов памяти HBM нового поколения (12-слойных HBM3E). Производитель сообщил, что массовые поставки таких чипов запланированы на четвёртый квартал этого года, а памяти HBM4 начнутся со второй половины 2025 года.

Память с высокой пропускной способностью (HBM) — это один из типов динамической памяти с произвольным доступом (DRAM). Стандарт был впервые представлен в 2013 году. Для экономии места и снижения энергопотребления эти чипы памяти состоят из нескольких кристаллов, наложенных друг на друга. 

Основное применение таких стеков памяти сегодня — специализированные графические ускорители для работы с алгоритмами искусственного интеллекта (ИИ). Использование памяти с высокой пропускной способностью позволяет обрабатывать огромные объёмы данных, необходимых для обучения моделей ИИ.