Samsung возобновила инвестиции в производство памяти DRAM 6-го поколения

[душман]

На фоне растущего рыночного спроса на высокопроизводительную память для ИИ компания Samsung решила возобновить инвестиции в создание производственной линии чипов памяти DRAM 6-го поколения на своём заводе P4 в Пхёнтхэке с целью начать массовый выпуск таких микросхем в июне 2025 года, пишет южнокорейское издание ETNews.

Источник сообщает, что память DRAM 6-го поколения, также известная как «1c», будет производиться с использованием техпроцесса класса 10 нм. Помимо Samsung такую память также планирует массово производить её южнокорейский конкурент SK hynix. По информации ETNews, Samsung хотела начать строительство нового цеха P4 на своём заводе в Пхёнтхэке в 2022 году и изначально собиралась запустить его в 2024 году. 

Однако, завершив строительство производственного объекта и его обеспечение необходимой инфраструктурой, компания не стала оснащать новую линию производственным оборудованием. Из-за снизившегося спроса на рынке полупроводников Samsung сократила расходы путём снижения количества доступных мощностей.

Во второй половине прошлого года рынок полупроводников начал восстанавливаться, поэтому к середине года Samsung вновь перешла к инвестициям в новые проекты. Компания начала установку оборудования для выпуска флеш-памяти NAND на ранее неиспользуемом объекте P4 и теперь подтвердила планы по инвестициям в производство памяти DRAM 6-го поколения, пишет ETNews.

Пробные партии 1c DRAM компания Samsung собирается выпустить уже к концу текущего года, утверждает источник. Также сообщается, что производитель рассматривает возможность запуска производственной линии по выпуску микросхем памяти HBM4 с использованием технологии 1c DRAM во второй половине 2025 года.