душман Опубликовано 13 июня, 2024 Опубликовано 13 июня, 2024 Южнокорейская компания Samsung Electronics освоила выпуск 3-нм продукции в сочетании с использованием структуры транзисторов с окружающим затвором (GAA) ещё в середине 2022 года, опередив всех конкурентов, но существенного успеха среди клиентов это ей не принесло. Сейчас Samsung рассчитывает к 2027 году внедрить 1,4-нм литографические нормы, а также начать применение подвода питания с оборотной стороны кремниевой пластины ещё в рамках 2-нм техпроцесса. Об этом стало известно по итогам выступления представителей Samsung на профильном мероприятии, как отмечают Bloomberg и Reuters. Компания напомнила своим клиентам, что она может одновременно снабжать их ускорители вычислений памятью типа HBM, заниматься производством чипов и их последующей упаковкой. Уже само по себе такое сочетание компетенций позволит сократить время производственного цикла на 20 %. По прогнозам Samsung, к 2028 году ёмкость рынка полупроводниковых компонентов вырастет до $778 млрд, во многом благодаря распространению ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта. Непосредственно Samsung рассчитывает к тому времени увеличить количество клиентов, заказывающих у неё в производство такую продукцию, в пять раз от текущего уровня, а сопутствующую выручку поднять в девять раз. Представители Samsung разделяют взгляды основателя OpenAI Сэма Альтмана на потребности отрасли в производственных мощностях для выпуска ускорителей вычислений. По его мнению, для удовлетворения спроса необходимо будет построить десятки новых предприятий по выпуску чипов. IPTV сервис | Доступные цены кардшаринга | Доступные цены IPTV
Рекомендуемые сообщения
Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь
Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий
Создать аккаунт
Зарегистрируйте новый аккаунт в нашем сообществе. Это очень просто!
Регистрация нового пользователяВойти
Уже есть аккаунт? Войти в систему.
Войти