Micron получит $6,1 млрд госсредств на строительство полупроводниковых заводов в США

[душман]

С наступлением весны и приближением намеченных на осень президентских выборов в США правительство страны начало активнее распределять средства, предусмотренные для стимулирования строительства на её территории передовых предприятий по выпуску полупроводниковых компонентов. Intel, TSMC и Samsung уже получили предварительные гарантии, а очередь до Micron Technology дошла только на этой неделе.

Единственный американский производитель микросхем памяти, осуществляющий активную деятельность в наши дни, намерен в ближайшие годы потратить $125 млрд на строительство четырёх новых предприятий в штате Нью-Йорк и одного в штате Айдахо. Кроме того, в штате Вирджиния существующее предприятие по выпуску микросхем типа DRAM будет модернизировано и расширено, на эти нужды до 2030 года компания планирует потратить $3 млрд.

В рамках церемонии, которая прошла сегодня в штате Нью-Йорк, власти США объявили о готовности выделить по «Закону о чипах» до $6,1 млрд безвозвратных субсидий и до $7,5 млрд в форме льготных кредитов для нужд компании Micron Technology. С учётом уже распределённых средств среди прочих соискателей субсидий, правительство США располагает ещё $6,5 млрд бюджетных средств, которые должны быть распределены до конца текущего года между компаниями, выражающими твёрдые намерения наладить выпуск передовых полупроводниковых компонентов на территории США.

Одно из строящихся предприятий Micron в Айдахо будет введено в строй в 2026 году, ещё два предприятия в штате Нью-Йорк будут запущены в 2028 и 2029 годах. Два дополнительных предприятия в этом штате, которые будут построены позже, действием предварительного соглашения с властями США не покрываются.