душман Опубликовано 9 апреля Поделиться Опубликовано 9 апреля Компания Samsung объявила, что изготовила образец 16-слойного стека памяти HBM — такие будут применяться с переходом на память HBM4. Предсерийные образцы этих стеков появятся в 2025 году, а массовое производство стартует в 2026 году. О создании стека HBM из 16 кристаллов с гибридным соединением сообщил вице-президент Samsung Ким Дэ У, передаёт TheElec. Этот чип был изготовлен в соответствии со стандартом HBM3, но аналогичное решение будет использоваться и в более производительной продукции HBM4. Ожидалось, что Samsung использует гибридное соединение лишь для одного или двух кристаллов, но в итоге компания применила этот метод ко всем шестнадцати. Образец 16-слойного стека был изготовлен на оборудовании Semes — дочерней компании Samsung. В Samsung рассматривали возможность использовать гибридное соединение или термокомпрессионную непроводящую плёнку (TC-NCF) для памяти HBM4, тестирование которой начнётся в 2025 году, а массовое производство стартует в 2026 году, пояснил Ким.В чипах HBM3E компания Samsung применяет технологию TC-NCF, а гибридное соединение обещает быть более эффективным, поскольку позволяет компактно добавлять больше слоёв без сквозных соединений TSV (Through Silicon Via). IPTV сервис | Доступные цены кардшаринга | Доступные цены IPTV Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Рекомендуемые сообщения
Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь
Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий
Создать учетную запись
Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!
Регистрация нового пользователяВойти
Уже есть аккаунт? Войти в систему.
Войти