Samsung разработала 12-слойную память HBM3E с рекордной ёмкостью — 36 Гбайт на стек

[душман]

Сегмент памяти типа HBM сейчас развивается очень динамично, поскольку именно ею оснащаются востребованные рынком ускорители вычислений для систем искусственного интеллекта. Компания Samsung Electronics заявила о разработке первого в мире 12-ярусного стека HBM3E совокупной ёмкостью 36 Гбайт, который обеспечивает передачу информации со скоростью 1280 Гбайт/с.

Как поясняется в лаконичном пресс-релизе производителя, по критерию ёмкости и скорости передачи информации 12-слойный стек HBM3E более чем на 50 % превосходит имеющиеся на рынке 8-слойные стеки HBM3. Особенностью технологии производства новой памяти является использование термокомпрессии в сочетании с диэлектрической плёнкой при формировании 12-слойных стеков и межслойных соединений. 

Результирующий 12-слойный стек HBM3E в итоге имеет такую же монтажную высоту, как и 8-слойный. Расстояние между кристаллами памяти в стеке не превышает 7 мкм, что является отраслевым рекордом. Плотность компоновки микросхем в стеке удалось увеличить более чем на 20 %.