душман Опубликовано 7 ноября, 2022 Опубликовано 7 ноября, 2022 Не раз отмечалось, что японские компании в укреплении своих позиций в сфере литографических технологий рассчитывают на партнёрство не только с Тайванем, но и с США. Достижению соответствующих целей будет способствовать строительство исследовательского центра, который займётся изучением литографических технологий с нормами до 2 нм включительно. На нужды его строительства власти страны готовы выделить до $2,4 млрд. Как сообщает Nikkei Asian Review, к концу года в Японии начнёт функционировать исследовательский центр, чья работа будет курироваться японскими специалистами в партнёрстве с американскими коллегами. Этот центр будет способствовать освоению японскими компаниями ко второй половине этого десятилетия 2-нм технологии производства полупроводниковых компонентов. Расходы на финансирование строительства исследовательского центра в сумме $2,38 млрд заложены в японский бюджет на текущий фискальный год, который завершается в марте следующего календарного. Это не единственная статья расходов профильного бюджета, в него также заложены $3,06 млрд на подготовку к строительству предприятий, способных наладить производство передовых чипов на территории Японии, а также $2,5 млрд на обеспечение поставок материалов, необходимых для функционирования данных предприятий. Что касается совместного исследовательского центра, то имена участвующих в его работе японских компаний будут названы в этом месяце. Академические учреждения Японии, США и Европы также будут привлечены к работе данного исследовательского центра. Считается, что с американской стороны технологическую поддержку будет обеспечивать корпорация IBM. IPTV сервис | Доступные цены кардшаринга | Доступные цены IPTV
Рекомендуемые сообщения
Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь
Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий
Создать аккаунт
Зарегистрируйте новый аккаунт в нашем сообществе. Это очень просто!
Регистрация нового пользователяВойти
Уже есть аккаунт? Войти в систему.
Войти