Samsung за $15 млрд построит в Корее новый центр исследований полупроводников

[душман]

Компания Samsung Electronics заложила фундамент нового комплекса для исследований и разработок в области полупроводников в Гихыне, Республика Корея. До 2028 года Samsung инвестирует в новый центр 20 трлн вон ($15 млрд). В новом центре будут проводиться передовые исследования в области следующего поколения памяти и других полупроводников, а также разрабатываться новые прорывные технологии.

Примечательно, что новые корпуса площадью 109 тыс. м2 будут возведены рядом с кампусом подразделения DS в Хвасеонге, где в 1992 году была разработана первая в мире 64-Мбит DRAM, что ознаменовало начало лидерства компании в области полупроводников.

«Наш новый современный научно-исследовательский комплекс станет центром инноваций, куда смогут приезжать и развиваться лучшие научные кадры со всего мира, — сказал президент компании Кье Хен Кюн, который также возглавляет подразделение Device Solutions (DS). Мы ожидаем, что это новое начало заложит основу для устойчивого роста нашего полупроводникового бизнеса».

Не секрет, что пределы масштабирования полупроводников близки к своему теоретическому пределу в рамках разработанных техпроцессов. Этим летом Samsung стала первой компанией, которая внедрила массовое производство чипов с транзисторами, полностью окружёнными затворами GAA (Gate All Around).

С созданием нового научно-исследовательского центра Samsung Electronics стремится ещё глубже преодолеть пределы масштабирования полупроводников и укрепить свои конкурентные преимущества в области полупроводниковых технологий.