Перейти к содержанию

Рекомендуемые сообщения

Опубликовано

Интернет-ресурс Protocol со ссылкой на собственные источники докладывает, что Администрация Байдена планирует заблокировать экспорт в Китай программного обеспечения для проектирования чипов на транзисторах нового поколения — с каналами, полностью окружёнными затвором или Gate All Around (GAA). У США вызывает опасение то обстоятельство, что технология GAA позволит Китаю создать чип искусственного интеллекта выдающейся производительности.

Первой транзисторы со структурой GAA совсем недавно начала выпускать компания Samsung в виде 3-нм продукции. Компания TSMC начнёт внедрять аналогичные структуры, начиная с 2-нм техпроцесса. Intel тоже готова в будущем примерить эту технологию (в её терминологии — RibbonFET) на техпроцессах Intel 20A и Intel 18A. Китайцы пока не были замечены в намерении осваивать технологию GAA, но со временем это наверняка бы произошло.

В общем случае GAA-транзисторы имеют каналы в виде наностраниц или напроводов, которые окружены затвором со всех четырёх сторон, что снижает токи утечки и повышает производительность.Также технология позволяет гибко настраивать характеристики транзисторов, просто изменяя размеры каналов и их количество. Для транзисторов с небольшими по сечению каналами, что происходит при снижении технологических норм производства ниже определённого уровня (2–3 нм), переход на круговой затвор представляется вполне естественным и экономически оправданным шагом.

США уже запретили поставки в Китай литографического оборудования поколения EUV, что само по себе затруднит китайцам освоение технологических норм производства менее 7 нм. Предложение запретить поставлять в Китай программное обеспечение для проектирования чипов с транзисторами GAA станет страховкой от того, что китайские передовые проекты вообще будут разрабатываться, например, для производства на линиях TSMC, чего нельзя исключать невзирая на контроль и санкции.

Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь

Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий

Создать аккаунт

Зарегистрируйте новый аккаунт в нашем сообществе. Это очень просто!

Регистрация нового пользователя

Войти

Уже есть аккаунт? Войти в систему.

Войти
×
×
  • Создать...