SK hynix побила рекорд Micron и представила самую высокую в мире флеш-память — 238-слойную

[душман]

Компания SK hynix сегодня побила рекорд, недавно установленный компанией Micron. Неделей ранее Micron сообщила о начале поставок самой многослойной в мире памяти 3D NAND — 232-слойных кристаллов. Сегодня вперёд выходит SK hynix, которая сообщила о начале поставок образцов 238-слойной памяти 4D NAND. Новые кристаллы на меньшей площади имеют более высокую плотность записи, меньшее в среднем потребление и повышенную производительность.

Нетрудно предположить, что компания SK hynix, как и её конкурент компания Micron, получает чипы с более чем 230 слоями благодаря укладке друг на друга 128-слойных кристаллов. В процессе «притирки» часть слоёв теряется или идёт в брак, что не позволяет добиться идеала в виде 256-слойных микросхем 3D NAND, но никто не мешает к нему стремиться. 

Micron смогла гарантированно производить 232-слойные чипы, а SK hynix добилась чуть лучшего результата — производства 238-слойных чипов. При этом добиться даже такого небольшого преимущества наверняка требовало напряжения всех технологических возможностей компании.

Массовое производство представленных новинок начнётся в первой половине 2023 года. Первыми компания будет выпускать 512-Гбит микросхемы с записью трёх бит в каждую ячейку (TLC). Позже будет налажено производство 1-Тбит чипов 4D NAND. Напомним, 4D NAND — это маркетинговое название обычной памяти 3D NAND с некоторыми улучшениями, такими как перенос логики под массив ячеек (технология PUC) и переход к ячейке с ловушкой заряда вместо использования ячейки с плавающим затвором, что, как минимум, снижает токи утечек.