Ippolitovich Опубликовано 19 ноября, 2021 Поделиться Опубликовано 19 ноября, 2021 Сегнетоэлектрическая энергонезависимая память FRAM (FeRAM) известна своей исключительной устойчивостью к износу. Это открыло ей путь в промышленное оборудование и аэрокосмическую отрасль, где надёжность длительной работы ценится превыше всего. Японская компания Fujitsu смогла ещё на порядок повысить износостойкость фирменной FRAM, заявив о создании чипов с гарантированными 100 трлн циклами перезаписи. Кроме огромного ресурса сегнетоэлектрическая память отличается высокой скоростью доступа — намного быстрее классической флеш-памяти. Это качество вкупе с повышенной устойчивостью к износу позволяет FRAM стать заменой оперативной памяти SRAM с добавлением энергонезависимости. Энергонезависимость упрощает и удешевляет оборудование, поскольку резервные системы питания для сохранения промежуточных данных становятся больше не нужны. Наконец, энергонезависимость означает снижение потребления как минимум на операции регенерации в SRAM — это тоже важный фактор в наши времена «зелёной» повестки. Скорость доступа к новой памяти FRAM Fujitsu не ниже 25 нс в страничном режиме при непрерывном потоке запросов. Рост быстродействия неразрывно связан с требованием к увеличению устойчивости к износу и Fujitsu удерживает баланс. Чтобы новую память FRAM можно было без каких-либо переделок в монтажных платах и усложнения схемотехники использовать вместо микросхем SRAM, чипы FRAM предлагаются в стандартном 48-контактном корпусе FBGA и 44-контактном корпусе TSOP. По сравнению с предыдущими FRAM-продуктами Fujitsu токи записи снижены на 10 % (до 18 мА), а токи в режиме ожидания уменьшены на 50 % (до 150 мкА). Память FRAM компания Fujitsu выпускает чуть более 20 лет и раз за разом показывает всё лучший результат в этой области. Но что же не так с FRAM, если она так хороша? Почему у нас везде флеш-память, а не сегнетоэлектрическая? Ответ простой: память FRAM очень и очень плохо масштабируется. По ряду физических особенностей сегнетоэлектрического слоя в чипах площадь ячейки FRAM остаётся не просто большой, а недопустимо большой для производства ёмких энергонезависимых микросхем. В частности, представленная новая память FRAM Fujitsu имеет ёмкость 8 Мбит. На этом фоне все главные достоинства FRAM тают как снег под ярким весенним солнцем. Но для специальных приложений альтернативы FRAM нет и скоро не будет. Остаётся надеяться на прорыв в исследованиях. ____________________________________________________________♦♦♦♦♦♦♦♦◄♫►WeissRussland◄♫►♦♦♦♦♦♦◄♠GRODNO♠►♦♦♦♦♦♦♦♦---------------------------------------------------------------------------------------------------------♠ 75.0°e ♣ 53.0°e ♦ 36.0°e ♥ 19.2°e ♠ 13.0°e ♥ 4.8°e ♠ 4.0°w ♣ 5.0°w ♦____________________________________________________________ Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Рекомендуемые сообщения
Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь
Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий
Создать учетную запись
Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!
Регистрация нового пользователяВойти
Уже есть аккаунт? Войти в систему.
Войти