SK hynix завершила разработку памяти HBM3: модули до 24 Гбайт со скоростью до 819 Гбайт/с

[Ippolitovich]

Компания SK hynix объявила о завершении разработки первых в мире модулей скоростной оперативной памяти HBM3 DRAM. Стандарт данной памяти ещё не утверждён, но это не помешало создать продукт, близкий к началу массового производства.

 

Модули памяти HBM3 DRAM от SK hynix могут содержать до 12 кристаллов памяти, уложенных в вертикальный стек с контроллером в самом низу сборки. Вероятно, с этим компании помогла сравнительно недавно купленная у Xperi лицензия на технологию чрезвычайно плотного расположения отверстий сквозной металлизации (TSVs). Благодаря этому ёмкость каждого стека HBM3 DRAM SK hynix может достигать 24 Гбайт, хотя компания также будет производить 16-Гбайт модули HBM3. Предыдущие передовые стеки HBM2E компании, напомним, содержали не больше 8 кристаллов памяти. Шаг вперёд более чем заметный.

 

 

Производительность новой памяти также существенно увеличилась. Общая скорость передачи данных по интерфейсу достигает 819 Гбайт/с, что на 78 % больше по сравнению с памятью HBM2E. Фактически за каждую секунду по интерфейсу HBM3 прокачиваются 163 фильма в формате FHD (Full HD) по 5 Гбайт каждый. Для игровых видеокарт это было бы пределом мечтаний, но для рабочих ИИ- и ML-нагрузок — это будет обязательное требование. Наконец, в новых модулях реализованы механизмы, повышающие надёжность работы памяти. В матрицу встроен код коррекции ошибок, который исправляет битовые ошибки данных. Для высоких скоростей работы и высокой плотности хранения информации — это важнейшее условие работы с заявленными характеристиками. О начале массового производства памяти HBM3 DRAM компания SK hynix пока не сообщила, но это событие не за горами. Индустрия интенсивных вычислений ждёт эту память.