TSMC будет активнее развивать производство силовых полупроводников из нитрида галлия

[Ippolitovich]

Дальнейшая электрификация всего на свете будет сопровождаться ростом эффективности преобразователей, иначе потери сведут на нет всю выгоду от перехода. Ведущую роль в этом процессе будут играть так называемые широкозонные полупроводники, в список которых входят карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). Компания TSMC уже включилась в производство решений на этих материалах и нацелилась на пять областей, где ожидает значительный рост спроса.

 

Как сообщают тайваньские источники, TSMC видит возможности для роста обозначенных полупроводников в ближайшие десять лет с акцентом на пять секторов: быстрые зарядные устройства для электромобилей, центры обработки данных, фотоэлектрические инверторы, инверторы постоянного тока 48 В и бортовые зарядные устройства электромобилей.

 

 

Дополнительным стимулом углубиться в эту сферу для тайваньского производителя становятся растущие усилия китайских компаний догнать Запад в производстве широкозонных полупроводников. TSMC не собирается упускать инициативу, и охотно идёт на сотрудничество с ветеранами данной отрасли. В частности, в прошлом году TSMC заключила партнёрское соглашение с европейской компанией STMicroelectronics и будет выпускать для неё как дискретные, так и интегральные силовые решения на нитриде галлия.

 

 

В то же время TSMC развивает собственные технологии производства. Занимается она этим с начала 2000-х и уже достигла определённых успехов. В 2014 году TSMC начала производство GaN-компонентов на своем заводе по производству 150-мм пластин, а в 2015 году она начала выпускать GaN-компоненты для низковольтных и высоковольтных применений. В 2017 году компания приступила к серийному производству компонентов GaN-на-Si. Сотрудничество с STMicroelectronics в 2020 году ещё сильнее укрепило позиции TSMC на новом для неё рынке. Очевидно, впереди новые успехи, а растущий спрос на эффективную силовую электронику не даст ей сойти с выбранного пути.