Samsung скоро закончит строительство крупного завода флеш-памяти NAND в Китае

[Ippolitovich]

о сообщениям сетевых источников, на этой неделе начался этап установки оборудования для производства флеш-памяти NAND на новом заводе компании Samsung China Semiconductor в городе Сиан, расположенном на северо-западе Китая.

 

Согласно имеющимся данным, строительство второй очереди завода Samsung будет завершено в скором времени, а производство запустят к середине этого года. Когда вторая очередь завода выйдет на полную мощность, объём производства достигнет 130 тыс. пластин в месяц, что составит 40 % от глобального уровня производства Samsung продукции этого типа. По данным источника, активные поставки оборудования для нового завода Samsung в Сиане начались ещё в середине февраля.

 

 

Напомним, в августе 2017 года Samsung подписала соглашение с местными властями, в рамках которого южнокорейская компания объявила об инвестировании $7 млрд в строительство второго завода в Сианьском комплексе, чтобы увеличить объём производства флеш-памяти NAND с 20 тыс. до 65 тыс. пластин в месяц. Стоит отметить, что это соглашение стало началом второй фазы расширения производства Samsung. В 2012 году компания вложила $10 млрд в строительство первого своего завода в Сиане, предназначенного для производства полупроводниковой продукции. Строительство первого завода Samsung завершилось за два года и уже в мае 2014 года он начал работать.