Ippolitovich Опубликовано 1 июля, 2019 Опубликовано 1 июля, 2019 Компания TSMC первой среди производителей полупроводниковой продукции освоила выпуск продукции по нормам 7 нм. И хотя формально это 7-нанометровая продукция, ее характеристики они находятся на тех же уровнях, которые ожидаются от 10-нанометровой продукции Intel. В компании Samsung сознательно предпочли замедлить работу над техпроцессом, эквивалентным 7-нанометровому техпроцессу TSMC первого поколения, чтобы сосредоточиться на внедрении экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV). Судя по последним данным, освоение EUV в Samsung идет по плану. Отчет исследователей Samsung, опубликованный на симпозиуме по VLSI, свидетельствует, что 7-нанометровая технология EUV готова к серийному производству, а по энергетической эффективности продукции она превосходит обычную 7-нанометровую технологию. В частности, компания представила график, позволяющий сравнить напряжение пробоя для трех техпроцессов. Говоря простым языком, чем круче проходит прямая, тем выше энергетическая эффективность. На иллюстрации видно, что 7-нанометровая технология EUV, созданная в Samsung, превосходит по этому показателю своих предшественниц. Кроме того, южнокорейский производитель продемонстрировал образцы SRAM и представил данные об устойчивости микросхем, изготовленных по 7-нанометровой технологии EUV, к высоким температурам. ____________________________________________________________♦♦♦♦♦♦♦♦◄♫►WeissRussland◄♫►♦♦♦♦♦♦◄♠GRODNO♠►♦♦♦♦♦♦♦♦---------------------------------------------------------------------------------------------------------♠ 75.0°e ♣ 53.0°e ♦ 36.0°e ♥ 19.2°e ♠ 13.0°e ♥ 4.8°e ♠ 4.0°w ♣ 5.0°w ♦____________________________________________________________
Рекомендуемые сообщения
Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь
Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий
Создать аккаунт
Зарегистрируйте новый аккаунт в нашем сообществе. Это очень просто!
Регистрация нового пользователяВойти
Уже есть аккаунт? Войти в систему.
Войти