Перейти к содержанию

Samsung будет инвестировать $9,6 млрд ежегодно в бизнес полупроводников до 2030 года


Рекомендуемые сообщения

Samsung Electronics планирует инвестировать 11 триллионов вон (~$9,57 млрд) в год до 2030 года в полупроводниковый бизнес, включая полупроводниковое производство, и ожидает, что этот шаг поможет создать 15 тысяч рабочих мест за этот период. Общая сумма инвестиций около 133 триллионов вон ($115,5 млрд) озвучена на фоне укрепления ведущим мировым производителем чипов памяти своих позиций в тех полупроводниковых направлениях, которые не связаны с памятью: прежде всего, контрактного производства и мобильных процессоров.

 

sm.01.750.jpg

 
Хотя южнокорейский гигант не детализирует свои инвестиции в полупроводниковое подразделение, аналитики говорят, что ежегодно компания тратит около 10 триллионов вон ($8,7 млрд) на чипы памяти, которые являются основным источником дохода Samsung. «Samsung, похоже, начинает агрессивно развивать сферы бизнеса, не связанные с памятью, учитывая размеры затрат, но пока рано говорить о том, сработает ли этот долгосрочный план, поскольку успехи во многом зависят от ситуации со спросом и конъюнктуры рынка», — отметил старший аналитик HI Investment & Securities Сонг Мюнг Суп (Song Myung Sup).

 

iStock-958956392-1.jpg

 

Samsung, количество сотрудников которой в настоящее время достигает около 100 000 человек, заявила, что потратит 60 триллионов вон на производственную инфраструктуру, а остальную часть суммы на внутренние исследования и разработки. «Ожидается, что инвестиционный план поможет нашей компании достичь своей цели стать мировым лидером не только на рынке чипов памяти, но и логики к 2030 году», — сказали в Samsung.

 

images.png

 

Согласно данным TrendForce, Samsung с 19-процентной долей рынка занимает лидирующее положение в секторе контрактного производства чипов, уступая лидерство тайваньской TSMC. Samsung также производит собственные однокристальные системы Exynos, используемые в смартфонах. Правительство Южной Кореи готовит программу поддержки полупроводникового сектора за пределами чипов памяти. Заявление об этом может последовать на днях.

____________________________________________________________
♦♦♦♦♦♦♦♦◄♫►WeissRussland◄♫►♦♦♦♦♦♦◄♠GRODNO♠►♦♦♦♦♦♦♦♦
---------------------------------------------------------------------------------------------------------
♠ 75.0°e ♣ 53.0°e ♦ 36.0°e ♥ 19.2°e ♠ 13.0°e ♥ 4.8°e ♠ 4.0°w ♣ 5.0°w ♦
____________________________________________________________

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь

Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий

Создать учетную запись

Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!

Регистрация нового пользователя

Войти

Уже есть аккаунт? Войти в систему.

Войти
×
×
  • Создать...