TSMC сообщила о старте серийного производства 2-нм чипов

[Ippolitovich]

На форуме Open Innovation Platform Ecosystem Forum компания TSMC представила свои ближайшие планы по освоению техпроцессов, подчеркнув, как растущие нагрузки ИИ стимулируют разработку новых технологий с учётом баланса между производительностью и эффективностью. Также компания объявила о запуске серийного выпуска 2-нм чипов.

 

Компания объявила, что техпроцесс N2 (2 нм) уже запущен в серийное производство и ожидает, что начнёт наращивать производство по улучшенному техпроцессу N2P в начале 2026 года. TSMC планирует выпустить первые компоненты на базе техпроцесса A16, которые сочетают транзисторы на основе нанолистов с шиной питания Super Power Rail (SPR) на задней стороне кристалла, к концу 2026 года. В дальнейшем техпроцессы будут переходить от N3 к N2 на основе нанолистов, затем к A16 с SPR и, в конечном итоге, к более продвинутому A14.

 

  
TSMC также предоставила данные, показывающие рост производительности примерно в 1,8 раза при переходе с техпроцесса N7 на A14 при постоянной мощности, а также общее повышение эффективности примерно в 4,2 раза за тот же период. Компания прогнозирует, что тактовая частота чипов на техпроцессе A16 будет на 8–10 % выше, чем у продуктов на базе N2P, при том же напряжении, а энергопотребление снизится на 15–20 % при аналогичной пропускной способности.

 

  
Для тех, кто хочет продолжать использовать FinFET, компания предлагает усовершенствованные варианты техпроцессов с FinFET, такие как N3C и N4C, причём N4C уже используется заказчиками. TSMC также отметила NanoFlex — метод настройки на уровне ячеек, представленный в техпроцессе N2, который позволяет разработчикам найти баланс между скоростью и эффективностью. Этот подход позволяет добиться 15 % прироста частоты или снижения энергопотребления до 30 %. Сотрудничество TSMC с заказчиками даёт компании значительное преимущество. Команда разработчиков техпроцессов готова вносить нужные изменения по требованию клиентов. TSMC производит чипы Blackwell с использованием технологии 4N (4 нм), разработанной специально для Nvidia. Продукт оснащён восемью стеками памяти HBM3E, помещёнными в корпус CoWoS-S. Таким образом, индивидуальная настройка техпроцессов, тесная интеграция с заказчиками и поставщиками EDA, а также лидерство в области передовых технологий производства и корпусирования чипов позволили TSMC сохранить лидирующие позиции в отрасли производства полупроводников.