Ippolitovich Опубликовано 19 ноября, 2025 Опубликовано 19 ноября, 2025 Samsung Electronics раскрыла первые показатели массового производства по 2-нм техпроцессу. По данным отчёта за третий квартал, первое поколение 2-нм технологии GAA обеспечивает рост производительности на 5%, снижение энергопотребления на 8% и уменьшение площади однокристальной системы на 5% по сравнению с 3-нм решениями. Это первые официально подтверждённые результаты. Хотя мировой рынок сейчас контролирует TSMC с долей 70,2%, аналитики считают, что переход к 2-нм может изменить расстановку сил: обе компании внедряют архитектуру GAA, однако Samsung имеет преимущество опыта — она применила GAA уже в 3-нм поколении. Важным остаётся вопрос стоимости: TSMC планирует поднять цены на 10–20%. Сообщается, что Samsung Electronics придерживается гибкой стратегии приёма заказов, предлагая относительно более низкие цены по сравнению с TSMC. Tesla разделила производство своего автомобильного полупроводникового чипа AI5 между TSMC и Samsung, в то время как Samsung заключила контракт на поставку всего чипа AI6 следующего поколения на сумму 16,5 млрд долларов. Samsung готовит и собственные продукты с технологией 2 нм: серия смартфонов Galaxy S26 получит Exynos 2600, произведённый по новому техпроцессу. Выход качественной продукции приближается к 50–60%, что уже является неплохим прогрессом, хотя у TSMC этот показатель 80%. ____________________________________________________________♦♦♦♦♦♦♦♦◄♫►WeissRussland◄♫►♦♦♦♦♦♦◄♠GRODNO♠►♦♦♦♦♦♦♦♦---------------------------------------------------------------------------------------------------------♠ 75.0°e ♣ 53.0°e ♦ 36.0°e ♥ 19.2°e ♠ 13.0°e ♥ 4.8°e ♠ 4.0°w ♣ 5.0°w ♦____________________________________________________________
Рекомендуемые сообщения
Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь
Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий
Создать аккаунт
Зарегистрируйте новый аккаунт в нашем сообществе. Это очень просто!
Регистрация нового пользователяВойти
Уже есть аккаунт? Войти в систему.
Войти