SK hynix показала память HBM4 для ИИ-ускорителей следующего поколения

[Ippolitovich]

На Североамериканском технологическом симпозиуме, который проводит TSMC, компания SK hynix представила образцы памяти нового поколения HBM4 и новые продукты на основе актуальной HBM3E.

 

С 12-слойными стеками памяти HBM4 производитель достиг скорости 2 Тбайт/с, что значительно превышает возможности HBM3E, у которой этот показатель составляет 1,2 Тбайт/с. SK hynix также показала образцы 16-слойной HBM3E.

 

 

В марте корейская компания объявила, что первой в мире начала рассылать образцы HBM4 крупным клиентам, а подготовка к массовому производству памяти на основе новой технологии завершится во второй половине 2025 года. Под крупными клиентами, вероятно, подразумеваются Nvidia и AMD.

 

Если провести сравнение с игровым оборудованием, только один стек памяти HBM4 способен обеспечить более высокую пропускную способность, чем вся память видеокарты Nvidia GeForce RTX 5090, у которой 32 Гбайт GDDR7 с 1792 Гбайт/с или почти 1,8 Тбайт/с. Один стек HBM4 предлагает 2 Тбайт/с при ёмкости до 48 Гбайт. Но ускорители искусственного интеллекта обычно подключаются к нескольким стекам HBM одновременно, что позволяет им достигать скоростей, недоступных игровой графике. Так, один чип Nvidia B200 подключается к восьми HBM3E.