Samsung намерена через пару лет снова стать крупнейшим производителем чипов

[душман]

Прошлый год на рынке памяти характеризовался такими низкими ценами, что Samsung Electronics пришлось откатиться на четвёртое место в рейтинге лидеров рынка полупроводниковых компонентов в показателях выручки, уступив не только TSMC и Intel, но и компании Nvidia. Корейский гигант собирается вернуть себе первое место в этом рейтинге через два или три года, как сообщило руководство Samsung.

Данное заявление, по данным Business Korea, прозвучало на ежегодном собрании акционеров компании. Напомним, что ранее Intel и Samsung соперничали за звание крупнейшего поставщика полупроводниковых компонентов с точки зрения выручки с некоторой периодичностью, но в последние годы у них появились достойные соперники в лице TSMC и Nvidia, причём обе в какой-то мере нарастили выручку именно благодаря пандемии и нынешнему буму систем искусственного интеллекта. 

Если Samsung по итогам прошлого года выручила $45,9 млрд, то TSMC стала лидером с $66,8 млрд, а третье место досталось Nvidia с её $49,5 млрд выручки. В этом году Samsung намеревается восстановить «фундаментальную конкурентоспособность» своего полупроводникового бизнеса и устранить недочёты на уровне операционной деятельности подразделения, которые были усугублены отраслевым кризисом в прошлом году. 

Примечательно, что Samsung представит собственный ускоритель вычислений Mach 1 в начале следующего года, и он по своему быстродействию будет сопоставим с Nvidia H100. В развитие своего исследовательского центра в Йонъине Samsung до 2030 года собирается вложить $15 млрд, вдвое увеличив задействованные в разработках на полупроводниковом направлении ресурсы. 

Помимо 6-го поколения 10-нм памяти DRAM и девятого поколения памяти V-NAND, компания собирается вывести на рынок шестое поколение HBM (HBM4). Для производства мобильных процессоров с условным названием Exynos 2500 будет использоваться 3-нм технология. Будут создаваться передовые чипы для автомобильного сегмента и передачи данных по беспроводным каналам.