Ippolitovich Опубликовано 9 сентября, 2023 Поделиться Опубликовано 9 сентября, 2023 В июле стало известно, что проект TSMC по строительству предприятий в штате Аризона реализуется с задержкой, и выпускать чипы по технологии N4 первое из двух предприятий начнёт не ранее 2025 года. Это позволяет конкурирующей Samsung Electronics утверждать, что свои 4-нм чипы она начнёт выпускать в штате Техас быстрее соперника, уже в четвёртом квартале 2024 года. Как поясняет The Korea Herald, соответствующие заявления генеральный директор Samsung Electronics Кюн Ки Хён (Kyung Kye-hyun) сделал во время своего выступления перед студентами Сеульского национального университета на этой неделе. Как известно, Samsung Electronics строит в штате Техас своё второе предприятие, специализирующееся на контрактном производстве чипов для местных заказчиков. Как убеждён глава компании, на этой площадке выпуск 4-нм компонентов Samsung сможет начать уже к концу 2024 года. Руководитель Samsung заранее выразил гордость за сотрудников компании, чей самоотверженный труд позволит ей опередить конкурента в реализации проекта по выпуску 4-нм продукции в США, даже несмотря на наличие у TSMC некоторого преимущества по времени на старте. Впрочем, как отметило агентство Reuters, председатель совета директоров TSMC Марк Лю (Mark Liu) по итогам своего визита в Аризону в августе обрёл уверенность в том, что данный проект будет успешным для компании. «За последние пять месяцев мы достигли впечатляющих успехов», — прокомментировал он прогресс в строительстве предприятия по выпуску чипов в Аризоне. Глава Samsung Electronics также отметил, что успех в контрактном бизнесе должен способствовать тому, что капитализация бизнеса этой южнокорейской компании превысит $752 млрд. Сейчас главной проблемой для Samsung в развитии контрактного бизнеса, по словам докладчика, как раз является нехватка квалифицированных специалистов. Компания собирается продвигаться в сфере литографии и на направлении выпуска микросхем памяти. Например, для выпуска чипов DRAM производитель собирается использовать литографию 10-нм класса, а для выпуска твердотельной памяти 3D NAND будет применять компоновку из 1000 слоёв. Особое внимание будет уделяться и технологиям трёхмерной упаковки чипов. Кстати, Samsung Electronics номинально удалось обойти TSMC по срокам освоения 3-нм технологии, но проблема заключается в том, что южнокорейская компания до сих пор не нарастила объёмы выпуска профильной продукции и не расширила перечень клиентов, тогда как TSMC хоть и задержалась относительно неё, в сфере массового производства 3-нм чипов сейчас продвинулась дальше, и в следующем квартале уже приступит к выпуску продукции по второму поколению 3-нм технологии (N3E). Добавим, что главной причиной задержки старта производства TSMC в США называется нехватка квалифицированных рабочих со специальными знаниями, необходимыми для установки оборудования для производства полупроводников. Как в июле отметил Марк Лю (Mark Liu), председатель TSMC: «Хотя мы работаем над улучшением ситуации, включая отправку опытных технических специалистов из Тайваня для обучения местных специалистов в течение короткого периода времени, мы ожидаем, что график производства технологии N4 будет перенесен на 2025 год». ____________________________________________________________♦♦♦♦♦♦♦♦◄♫►WeissRussland◄♫►♦♦♦♦♦♦◄♠GRODNO♠►♦♦♦♦♦♦♦♦---------------------------------------------------------------------------------------------------------♠ 75.0°e ♣ 53.0°e ♦ 36.0°e ♥ 19.2°e ♠ 13.0°e ♥ 4.8°e ♠ 4.0°w ♣ 5.0°w ♦____________________________________________________________ Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Рекомендуемые сообщения
Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь
Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий
Создать учетную запись
Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!
Регистрация нового пользователяВойти
Уже есть аккаунт? Войти в систему.
Войти