Ippolitovich Опубликовано 6 июля, 2023 Поделиться Опубликовано 6 июля, 2023 Ученые Токийского технологического института представили вариант стековой оперативной памяти, который в четыре раза быстрее памяти HBM2E и при этом потребляет в пять раз меньше энергии. Новый вариант памяти назвали Bumpless Build Cube 3D (BBCube) за отсутствие в его основе традиционных массивов шариковых контактов для послойной пайки кристаллов. Решение было представлено на симпозиуме VLSI IEEE 2023 в июне 2023 года. Японские исследователи не просто предложили концепцию, они представили детальное описание техпроцесса для изготовления такой памяти. Память HBM, как известно, помогает обойти ряд ограничений на работу с блоком ОЗУ специализированного, центрального и графического процессора. Это ограничения на доступный процессору объём оперативной памяти, что обходит стековая архитектура HBM, а также ограничения на пропускную способность, что тоже решается стеком и структурной организацией HBM. В то же время современный подход к сборке стеков HBM накладывает свои ограничения на возможности этой памяти. Каждый слой (кристалл DRAM) в стеке нельзя сделать тоньше определённой величины и нельзя увеличить количество межслойных контактов-шариков выше определённого значения. В противном случае это грозит механическими повреждениями и коротким замыканием. Проще говоря, увеличивает уровень брака, что никому не нужно. Японцы предложили выбросить из техпроцесса сборки стека DRAM шарики-контакты. Это даст целый ряд преимуществ: кристаллы станут тоньше, поскольку уменьшатся механические напряжения в слоях, линии сквозных соединений TSVs станут короче (это позволит чипам лучше охлаждаться за счёт более высокой плотности TSVs на объём кристаллов — это будут своего рода тепловые трубки), стеки будут укрупняться, что позволит увеличить объём отдельных модулей до 64 Гбайт при использовании 16-Гбит кристаллов (в теории допустимо собирать до 40 кристаллов в стеке). Профессор Такаюки Охба (Takayuki Ohba), руководитель исследовательской группы, сказал: «BBCube 3D имеет потенциал для достижения пропускной способности в 1,6 терабайт в секунду, что в 30 раз выше, чем у DDR5 и в четыре раза выше, чем у HBM2E». Проблему взаимных помех в сильно уплотнённых линиях TSVs-соединений предложено решить за счёт управления фазами сигналов в соседних линиях. Управляющий сигнал в определённой линии ввода-вывода никогда не возникнет, пока активны соседние линии. Охба добавил: «Благодаря низкому тепловому сопротивлению и низкому импедансу BBCube, проблемы терморегулирования и питания, характерные для 3D-интеграции, могут быть сняты. В результате, предложенная технология может достичь потрясающей пропускной способности с энергией доступа к битам, которая составит 1/20 и 1/5 от DDR5 и HBM2E, соответственно». ____________________________________________________________♦♦♦♦♦♦♦♦◄♫►WeissRussland◄♫►♦♦♦♦♦♦◄♠GRODNO♠►♦♦♦♦♦♦♦♦---------------------------------------------------------------------------------------------------------♠ 75.0°e ♣ 53.0°e ♦ 36.0°e ♥ 19.2°e ♠ 13.0°e ♥ 4.8°e ♠ 4.0°w ♣ 5.0°w ♦____________________________________________________________ Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Рекомендуемые сообщения
Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь
Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий
Создать учетную запись
Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!
Регистрация нового пользователяВойти
Уже есть аккаунт? Войти в систему.
Войти