Ippolitovich Опубликовано 14 апреля, 2023 Поделиться Опубликовано 14 апреля, 2023 Министерство торговли США недавно обнародовало детали принятого в США «Закона о чипах и науке». В нём объём ограничений для компаний, претендующих на субсидии, значительно шире по сравнению с введёнными ранее санкциями, что должно ещё больше снизить готовность международных компаний инвестировать в китайскую полупроводниковую промышленность в следующем десятилетии. Ограничения также коснутся ведения дел Северной Корее, Иране и России. Изначально запреты на экспорт касались прежде всего наиболее продвинутых технологий. Но после того, как к санкциям решили присоединиться Япония и Нидерланды, ключевые сканеры DUV, используемые в зрелых техпроцессах менее 16 нм, 28 нм и 40 нм, вероятно, будут включены в сферу действия ограничений. Эти события в сочетании с «Законом о чипах» означают, что развитие китайской полупроводниковой отрасли будет существенно ограничено, независимо от степени зрелости техпроцесса. В последнее время наблюдается тенденция по переносу заказов на производство чипов на Тайвань из-за потребности минимизировать риски. Такие компании второго и третьего эшелонов, как VIS и PSMC, которые в основном сосредоточены на зрелых техпроцессах, значительно выиграли. Изменение структуры заказов, несомненно, обеспечит значительное восстановление полупроводниковых производств, которые в настоящее время страдают от избытка складских запасов и низкой загрузки производственных мощностей. TSMC больше всего пострадает от обновлённого американского законодательства, в основном из-за крушения её планов по расширению производства в Китае. Хотя у TSMC имеется годовое разрешение на импорт, действующее до середины 2023 года, дальнейшее расширение китайских мощностей TSMC для 16/12-нм и 28/22-нм техпроцессов будет существенно ограничено в течение следующего десятилетия в связи с получением субсидий от США. Кроме того, 85 % выпускаемой продукции предназначено для местного китайского рынка. Что касается производства DRAM, то SK hynix — единственный крупный поставщик, у которого есть завод в Китае, но избыток предложения и геополитика привели к тому, что загрузка мощностей на этом заводе упала на четыре процентных пункта с 48 % до 44 %. Между тем, у Samsung и Micron нет мощностей по производству DRAM в Китае, и их планы по будущему расширению сосредоточены на Южной Корее и США соответственно. По оценкам TrendForce, доля Южной Кореи в глобальных мощностях по выпуску DRAM будет продолжать расти, а доля Китая будет снижаться в годовом исчислении, упав с 14 % до 12 % к 2025 году. Ограничения на производство флэш-памяти NAND в Китае в основном применяются к процессам с более чем 128 слоями. Фабрика Samsung в Сиане сосредоточена на 128-слойных процессах и выпускает примерно 17 % мировой флэш-памяти. На завод SK hynix в Даляне приходится 9 %. Однако Samsung и SK hynix вряд ли станут расширять старые производственные линии, а планы по модернизации и увеличению производственных мощностей на китайских фабриках будут сильно ограничены. В целом ожидается, что к 2025 году доля Китая в мировых мощностях флэш-памяти NAND упадёт с 31 % до 18 %. Многие американские компании начали ограничивать регионы производства памяти и накопителей или требуют от поставщиков вывести свои производственные мощности из Китая, чтобы избежать геополитических конфликтов. TrendForce прогнозирует формирование двух различных производственных регионов: китайских заводов, которые в первую очередь ориентированы на удовлетворение внутреннего спроса, и заводов за пределами Китая, которые будут обслуживать другие рынки. ____________________________________________________________♦♦♦♦♦♦♦♦◄♫►WeissRussland◄♫►♦♦♦♦♦♦◄♠GRODNO♠►♦♦♦♦♦♦♦♦---------------------------------------------------------------------------------------------------------♠ 75.0°e ♣ 53.0°e ♦ 36.0°e ♥ 19.2°e ♠ 13.0°e ♥ 4.8°e ♠ 4.0°w ♣ 5.0°w ♦____________________________________________________________ Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Рекомендуемые сообщения
Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь
Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий
Создать учетную запись
Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!
Регистрация нового пользователяВойти
Уже есть аккаунт? Войти в систему.
Войти