Перейти к содержанию

Загруженность производственных линий по выпуску 3-нм чипов компании TSMC приближается к 50 процентам


Рекомендуемые сообщения

Опубликовано

По данным нескольких тайваньских источников, на которые ссылается TechPowerUp, загруженность линий по производству 3-нм чипов компании TSMC приближается к 50 %. Ключевым заказчиком этой продукции без сомнений является компания Apple, для которой TSMC ежемесячно обрабатывает около 50–55 тыс. кремниевых пластин для производства микросхем.

 

I0TlozACSc6OfQ5m.jpg


Источники также сообщают, что TSMC готовится начать в этом году производство микросхем на базе техпроцесса N3E — усовершенствованной версии 3-нм технологических норм. Некоторые клиенты компании уже ожидают возможности перехода на этот техпроцесс. В то же время тайваньские издания указывают, что дела у производителя чипов идут не так радужно, как может показаться на первый взгляд. Например, компания наблюдает сокращение загруженности своих линий по производству чипов согласно 7-, 6-, 5- и 4-нм техпроцессам. Спрос на микросхемы на базе этих технологий значительно снизился. По данным одних источников, загруженность линий по производству тех же 7- и 6-нм чипов упала почти до 50 %, по данным других — до 70 %. В свою очередь, загруженность производства микросхем по нормам 5- и 4-нм составляет около 80 %.

 

tsmc-fab16-nanjing.jpg

 

Аналитики прогнозируют, что это лишь временный спад, во второй половине года спрос на чипы на рынке повысится и загруженность производства самых передовых техпроцессов TSMC приблизится к показателю около 90 %. С другой стороны, отмечают эксперты, всё будет зависеть от спроса на конечные продукты, выпускающиеся клиентами тайваньского контрактного производителя микросхем. В настоящий момент они видят падение спроса на свои товары.

____________________________________________________________
♦♦♦♦♦♦♦♦◄♫►WeissRussland◄♫►♦♦♦♦♦♦◄♠GRODNO♠►♦♦♦♦♦♦♦♦
---------------------------------------------------------------------------------------------------------
♠ 75.0°e ♣ 53.0°e ♦ 36.0°e ♥ 19.2°e ♠ 13.0°e ♥ 4.8°e ♠ 4.0°w ♣ 5.0°w ♦
____________________________________________________________

Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь

Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий

Создать аккаунт

Зарегистрируйте новый аккаунт в нашем сообществе. Это очень просто!

Регистрация нового пользователя

Войти

Уже есть аккаунт? Войти в систему.

Войти
×
×
  • Создать...