Ippolitovich Опубликовано 12 сентября, 2022 Поделиться Опубликовано 12 сентября, 2022 Компания TSMC подтвердила, что переход на массовое производство чипов согласно передовым технологическим процессам будет проводиться согласно графику. Разработка усовершенствованного 3-нм техпроцесса N3E идёт гладко. Первые коммерческие продукты на его основе ожидаются в следующем году. Продукты на базе основного 3-нм техпроцесса N3 начнут массово выпускаться в этом году. Тестовый выпуск чипов согласно нормам 3 нм был запущен в прошлом году. Сейчас же TSMC массово производит чипы согласно техпроцессу 5 нм, на базе которого этой осенью ожидается выход на рынок большого числа различных потребительских продуктов. По словам тайваньской компании, выпуск чипов по норам 5 нм принёс ей 21 % от общей выручки во втором квартале этого года. Одной из главных особенностей узла N3 является технология FinFlex, которая должна увеличить для заказчиков привлекательность чипов, выпускаемых компанией. Суть технологии состоит в том, что производитель позволит использовать разные виды FinFET-транзисторов в рамках одного полупроводникового кристалла. В конце августа глава компании Си-Си Вэй (C.C. Wei) сообщил, что TSMC столкнулась со множеством сложностей при разработке 3-нм техпроцесса. Однако совсем скоро начнётся массовый выпуск чипов на его основе, и многие клиенты компании этого очень ждут. В то же время в TSMC подтвердили, что в 2025 году планируют начать выпуск кремниевых пластин с использованием 2-нм техпроцесса производства. Для этого компания построит новый завод на территории Научного парка Синьчжу. Подготовка инфраструктуры для новой фабрики уже началась. В рамках 2-нм техпроцесса TSMC будет выпускать микросхемы с архитектурой транзистора с круговым затвором Gate-All-Around (GAA). Прогнозируется, что TSMC выйдет на массовое производство чипов на основе 2-нм техпроцесса раньше, чем это сделают южнокорейский гигант Samsung Electronics и американская компания Intel. По мнению аналитиков, тайваньская компания в 2024 году станет первым производителем чипов, который задействует новое оборудование для литографии в глубоком ультрафиолете (EUV) с высокой числовой апертурой. Согласно прогнозам, чипы на базе 2-нм техпроцесса будут на 10–15 % быстрее микросхем на базе узла N3E при том же уровне энергопотребления или на 25–30 % энергоэффективнее при той же тактовой частоте работы. Из-за высокого спроса на передовые микросхемы производственные мощности TSMC по-прежнему загружены на 100 %. Компания ожидает, что это продлится как минимум до конца текущего года. В то же время многие соглашаются, что полупроводниковой отрасли сейчас приходится проводить корректировку запасов микросхем в связи со снижающимся потребительским спросом на различную бытовую технику. ____________________________________________________________♦♦♦♦♦♦♦♦◄♫►WeissRussland◄♫►♦♦♦♦♦♦◄♠GRODNO♠►♦♦♦♦♦♦♦♦---------------------------------------------------------------------------------------------------------♠ 75.0°e ♣ 53.0°e ♦ 36.0°e ♥ 19.2°e ♠ 13.0°e ♥ 4.8°e ♠ 4.0°w ♣ 5.0°w ♦____________________________________________________________ Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Рекомендуемые сообщения
Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь
Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий
Создать учетную запись
Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!
Регистрация нового пользователяВойти
Уже есть аккаунт? Войти в систему.
Войти