TSMC удалось добиться впечатляющего уровня выхода годных кристаллов по 3-нм техпроцессу N3E

[Ippolitovich]

Из прежних сообщений тайваньских СМИ известно, что компания TSMC в следующем месяце приступит к производству чипов согласно 3-нм техпроцессу, который сама компания обозначает как N3. Издание Tom’s Hardware поделилось свежими подробностями о развитии технологии N3E, которая будет представлять собой оптимизированную версию техпроцесса N3.

 

Технический энтузиаст под псевдонимом HS Kuo, на которого ссылается издание, опубликовал на своей странице в Twitter выдержку из непубличного документа самой TSMC. Согласно этим данным, компания к настоящему моменту добилась высокого процента выхода годных изделий на базе технологии N3E. Даже с учётом того, что на ней ещё не запущено опытное производство.

 

Если верить графику выше, объём выхода годных микросхем статической оперативной памяти SRAM на базе N3E сейчас составляет около 80 %, годных логических микросхем — 80 %, а годных кольцевых генераторов с подтверждённым ресурсом — 92 %. Как отмечает Tom’s Hardware, эти показатели выше, чем у стартующего в следующем месяце серийного производства по технологии N3. По данным TSMC, техпроцесс N3E подразумевает несколько меньшую плотность расположения транзисторов и некоторые другие изменения, которые позволяют достичь большей производительности и снижения энергопотребления чипов.