Samsung пообещала начать массовый выпуск 236-слойной флеш-памяти 3D NAND до конца года

[Ippolitovich]

Этим летом крупнейшие производители флеш-памяти заявили о намерениях освоить следующие рубежи по сложности компоновки 3D NAND. Американская Micron Technology сообщила на начале поставок 232-слойных кристаллов, SK hynix подняла ставки до 238 слоёв. Теперь и компания Samsung Electronics готова заявить, что поставки 236-слойной памяти она начнёт до конца текущего года.

 

Как видно, разброс в характеристиках многослойной памяти типа 3D NAND, поставляемой ведущими производителями, весьма незначителен. При этом сделавшая своё заявление последней компания Samsung Electronics не смогла перекрыть предложения конкурентов, а попала в середину диапазона. Не будем забывать, однако, что именно Samsung остаётся крупнейшим производителем микросхем памяти, и для неё способность выпускать 3D NAND с заданными характеристиками в адекватных объёмах имеет решающее значение.

 

 

Сейчас Samsung Electronics занимает 35 % рынка флеш-памяти, но поставляет микросхемы 3D NAND с количеством слоёв не более 176 штук. Увеличить его на 60 слоёв она готова до конца текущего года. В этом месяце корейский гигант откроет новый исследовательский центр, специализирующийся на разработке перспективных типов твердотельной памяти. По всей видимости, новый импульс инвестиционной активности Samsung Electronics придала в этом месяце окончательная амнистия формального главы компании Ли Джэ Ёна (Lee Jae-yong), который получает возможность занять пост председателя совета директоров в империи, основанной его дедом.