Samsung планирует потратить $200 млрд на строительство полупроводниковых заводов в Техасе

[Ippolitovich]

Компания Samsung повышает ставки в США. Незадолго до голосования местных парламентариев по законопроекту CHIPS Act, предусматривающему льготы и субсидии для инвесторов в американскую полупроводниковую отрасль, южнокорейский производитель выдвинул предложение построить в течение следующих 20 лет 11 заводов по выпуску чипов с общей стоимостью $200 млрд. Известно, что техногигант подал в Техасе 11 заявок на строительство, рассчитывая на налоговые льготы. Компания расширила свои планы далеко за пределы реализуемого проекта стоимостью $17 млрд — завод уже строится недалеко от техасской столицы Остина.

 

 

Предполагается, что первый из 11 заводов будет построен рядом с уже существующим предприятием в местном городке Тейлор, ещё 10 предлагается воздвигнуть в округе Вильямсон, каждый будет стоить $12-21,5 млрд. В общей сложности на заводах будут работать как минимум 10 тыс. сотрудников. Судя по поданным документам, первый из 11 заводов должен заработать в 2034 году, а последний компания готовится открыть в начале 2040-х. Новости о планах строительства появились незадолго до голосования американского Сената по законопроекту, предусматривающему субсидии общей стоимостью $50 млрд для игроков полупроводниковой отрасли. Громче всех инициативу поддерживала Intel, связывая вероятное принятие закона с собственным намерением потратить миллиарды на строительство заводов в Аризоне и Огайо.

 

 

Дерзкий план Samsung имеет недостатки. На производство полупроводников требуется много воды и электроэнергии. Доступной воды в Техасе довольно мало, а в ходе зимних бурь 2021 года местная энергосеть не справилась с электроснабжением, оставив без энергии и существующие заводы. Впрочем, у проекта Samsung есть и сильные стороны. Пока Intel пытается довести до готовности массовое производство в соответствии с 7-нм техпроцессом, южнокорейский конкурент уже предлагает решения на более современных технологиях, поэтому предприятия Samsung смогут обеспечить появления на территории СЩА более передовых полупроводниковых производств.