Ippolitovich Опубликовано 30 июня, 2022 Поделиться Опубликовано 30 июня, 2022 В мае этого года руководство Samsung Electronics использовало визит президента США Джозефа Байдена (Joseph Biden) на одно из своих предприятий в Южной Корее, чтобы привлечь внимание общественности к факту наличия у компании кремниевых пластин с образцами 3-нм продукции. Высокопоставленный гость даже оставил автограф на одной из них. Теперь Samsung доложила о начале серийного выпуска 3-нм продукции, в последний день квартала. Подобная пунктуальность тоже была важна с идеологической точки зрения, ведь Samsung Electronics давно обещала, что к выпуску серийной 3-нм продукции приступит именно во втором квартале 2022 года, а не во втором полугодии, как конкурирующая TSMC. Промедление в один день стоило бы корейскому гиганту важного маркетингового преимущества, поскольку второе полугодие начинается завтра. Теперь Samsung имеет формально право заявлять, что первой начала производство 3-нм продукции. Как известно, структура транзисторов в рамках 3-нм технологии Samsung претерпела серьёзные изменения. Помимо транзисторов с окружающим затвором (GAA), говорится о компоновке MBCFET и использовании наностраниц при формировании каналов транзистора. В совокупности, как поясняет Samsung, все эти меры позволяют снизить уровень энергопотребления на 45 % по сравнению с 5-нм техпроцессом, улучшить быстродействие транзисторов на 23 % и повысить плотность их размещения на 16 %. Приведённые показатели справедливы для первого поколения 3-нм продукции Samsung, во втором обещано снижение энергопотребления на 50 %, повышение производительности на 30 % и уменьшение занимаемой площади на 35 %. Подчёркивается, что внедрение 3-нм техпроцесса начнётся с сегмента высокопроизводительных вычислений, и только потом он доберётся до мобильных компонентов. По крайней мере, если речь идёт о транзисторах с нанолистами, как поясняет Samsung Electronics в своём пресс-релизе. Напомним, TSMC рассчитывает приступить к массовому производству 3-нм продукции во втором полугодии, но выручку от её поставок начнёт получать лишь в первой половине следующего года. Кроме того, TSMC будет придерживаться более консервативной структуры транзисторов FinFET, приберегая компоновку GAA для 2-нм технологии. ____________________________________________________________♦♦♦♦♦♦♦♦◄♫►WeissRussland◄♫►♦♦♦♦♦♦◄♠GRODNO♠►♦♦♦♦♦♦♦♦---------------------------------------------------------------------------------------------------------♠ 75.0°e ♣ 53.0°e ♦ 36.0°e ♥ 19.2°e ♠ 13.0°e ♥ 4.8°e ♠ 4.0°w ♣ 5.0°w ♦____________________________________________________________ Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Рекомендуемые сообщения
Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь
Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий
Создать учетную запись
Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!
Регистрация нового пользователяВойти
Уже есть аккаунт? Войти в систему.
Войти