Micron начнёт переход на EUV-литографию для производства памяти DRAM к концу 2022 года

[Ippolitovich]

У американского производителя памяти Micron имеются заводы не только в США, но и в Японии, Сингапуре, Китае и на Тайване. Многие из них стали частью Micron в рамках поглощений. В ходе Computex 2022 американский производитель заявил, что собирается модернизировать своё производство в тайваньском Тайчжуне и начать до конца этого года переход на более совершенный процесс производства чипов памяти DRAM с использованием литографии к экстремальном ультрафиолете (EUV).

 

Micron давно не обозначает технологии производства полупроводников в нанометрах — вместо этого используются разные обозначения 10-нм класса микросхем, такие как 1x, 1z и прочие. Сейчас чипы памяти DRAM компании Micron создаются на DUV (Deep Ultra Violet) конвейере по технологии 1α (альфа). Это позволяет создавать полупроводники размером чуть больше 10 нм.

 

  
Со следующего года компания планирует перейти на использование узла 1β (бета). Для этого производитель будет задействовать не глубокий ультрафиолет (DUV), а экстремальный, то есть, EUV. Об этом стало известно из опубликованной производителем долгосрочной дорожной карты. В ней отмечается переход на узел 1y (гамма). Это можно считать началом подготовки к переходу на новый уровень производства DRAM на узле 1β. Переход от узла 1α к 1β позволит Micron улучшить характеристики чипов на 40 %.

 

  
Весьма вероятно, что в перспективе Micron приступит к переоборудованию и других своих фабрик для использования нового процесса литографии.