Samsung на днях продемонстрирует президенту США новейший 3-нм чип

[Ippolitovich]

Ожидается, что в ходе визита президента США Джо Байдена (Joe Biden) в Южную Корею он посетит завод Samsung Electronics, на котором ему продемонстрируют новейший чип, произведённый по технологии 3 нм. Это первый визит американского главы государства в азиатскую страну с момента его вступления в должность — 10 дней назад вступил в должность и новый президент Южной Кореи Юн Сок Ёль (Yoon Suk-yeol). Трёхдневный визит Байдена должен начаться с посещения комплекса Samsung в г. Пхёнтхэке — это крупнейший в мире завод по производству полупроводниковой продукции, он расположен в 70 км к югу от Сеула.

 

 

Корейское агентство Yonhap News сообщает, что личную экскурсию по огромному комплексу американскому политику проведёт вице-президент Samsung Electronics Ли Чжэ Ён (Lee Jae-yong). Компания продемонстрирует господину Байдену 3-нм чип нового поколения, произведённый по технологии Gate-All-Around (GAA) — массовое производство таких полупроводников стартует в ближайшие месяцы. Как говорят в Samsung, технология GAA позволяет снизить размеры компонентов на 35 %, обеспечивая при этом повышение производительности на 30 % или снижение электропотребления на 50 % в сравнении с чипами на основе техпроцесса 5 нм. Компания также заявила, что уже ведётся разработка технологических узлов 2 нм, а массовое производство на их основе запланировано на 2025 год.

 

 

Тем не менее, мировым лидером в контрактном производстве чипов остаётся тайваньская TSMC, которая, по версии аналитиков TrendForce, в IV квартале прошлого года удерживала 52,1 % мирового рынка, а занявшая второе место Samsung имела долю лишь 18,3 %.