Transcend представила твердотельные накопители на основе 112-слойной памяти 3D NAND

[Ippolitovich]

Компания Transcend анонсировала твердотельные накопители серий MTE720T, MTE710T и MTE670T, подходящие для использования в областях, где предъявляются повышенные требования к надёжности и долговечности. Все изделия выполнены в формате М.2 2280. Применяются 112-слойные микрочипы флеш-памяти 3D NAND. Устройства проходят тщательное заводское тестирование и выдерживают до 3 тысяч циклов записи/стирания. Кроме того, упомянут расширенный диапазон рабочих температур — от минус 25 до плюс 75 °C.

 

 

Накопители семейства MTE720T используют интерфейс PCIe 4.0 x4 (спецификация NVMe 1.4). Вместимость варьируется от 500 Гбайт до 2 Тбайт. Скорость чтения информации достигает 7400 Мбайт/с, скорость записи — 6000 Мбайт/с. Предусмотрен DRAM-кеш. Ступенью ниже располагаются решения серии MTE710T. Эти устройства также наделены интерфейсом PCIe 4.0 x4 и кешем DRAM. Ёмкость составляет от 256 Гбайт до 2 Тбайт. Максимальная скорость последовательного чтения и последовательной записи — 3800 и 3200 Мбайт/с соответственно.

 

Наконец, накопители MTE670T снабжены интерфейсом PCIe 3.0 x4 (NVMe 1.3) и лишены кеша DRAM. Вместимость варьируется от 256 Гбайт до 1 Тбайт. Скорость чтения достигает 2100 Мбайт/с, скорость записи — 1600 Мбайт/с.