SK hynix представит в феврале память HBM3 с пропускной способностью до 896 Гбайт/с и новые скоростные чипы GDDR6

[Ippolitovich]

Южнокорейская компания SK hynix примет участие в ежегодной международной конференции ISSCC 2022, в ходе которой расскажет о последнем обновлении спецификаций разрабатываемой ею памяти HBM3. Кроме того, производитель микросхем памяти собирается поделиться деталями о новых чипах GDDR6 со скоростью 27 Гбит/с.

 

Детали предстоящего мероприятия пока неизвестны, однако названия сессий подтверждают, о чём планирует рассказать компания. В октябре прошлого года SK hynix представила 12-слойные стеки памяти HBM3 со скоростью до 819 Гбайт/с. В ходе февральской конференции ISSCC 2022 производитель расскажет о новых спецификациях HBM3, обладающей пропускной способностью до 896 Гбайт/с. Повысить пропускную способность помогла технология автоматической калибровки сборки Through Silicon Via (TSV), разработанная с помощью алгоритмов машинного обучения. На данный момент неизвестно, идёт ли речь лишь о прототипе технологии производства или же SK hynix на самом деле собирается массово выпускать подобные чипы памяти.

 

Память HBM3 от SK hynix в первой версии спецификаций предлагала скорость передачи данных до 5,2 Гбит/с на контакт (665 Гбайт/с для всего модуля памяти). Однако спустя несколько месяцев производитель представил вторую спецификацию с повышенной на 23 %, до 6,4 Гбит/с скоростью передачи на данных на контакт или 819 Гбайт/с на весь стек. В тех чипах, о которых SK hynix расскажет в феврале, скорость передачи повысили до 7 Гбит/с на контакт, то есть на 10 % сверх октябрьских значений.

 

На конференции производитель также расскажет о новых чипах памяти GDDR6 с пропускной способностью 27 Гбит/с, ёмкостью 16 Гбит (2 Гбайт) и новыми технологиями Merged-MUX TX, Optimized WCK Operation и Alternative Data-Bus.