Fujitsu представила новую память FRAM с гарантией 100 трлн циклов перезаписи

[Ippolitovich]

Сегнетоэлектрическая энергонезависимая память FRAM (FeRAM) известна своей исключительной устойчивостью к износу. Это открыло ей путь в промышленное оборудование и аэрокосмическую отрасль, где надёжность длительной работы ценится превыше всего. Японская компания Fujitsu смогла ещё на порядок повысить износостойкость фирменной FRAM, заявив о создании чипов с гарантированными 100 трлн циклами перезаписи.

 

Кроме огромного ресурса сегнетоэлектрическая память отличается высокой скоростью доступа — намного быстрее классической флеш-памяти. Это качество вкупе с повышенной устойчивостью к износу позволяет FRAM стать заменой оперативной памяти SRAM с добавлением энергонезависимости. Энергонезависимость упрощает и удешевляет оборудование, поскольку резервные системы питания для сохранения промежуточных данных становятся больше не нужны. Наконец, энергонезависимость означает снижение потребления как минимум на операции регенерации в SRAM — это тоже важный фактор в наши времена «зелёной» повестки.

 

 

Скорость доступа к новой памяти FRAM Fujitsu не ниже 25 нс в страничном режиме при непрерывном потоке запросов. Рост быстродействия неразрывно связан с требованием к увеличению устойчивости к износу и Fujitsu удерживает баланс. Чтобы новую память FRAM можно было без каких-либо переделок в монтажных платах и усложнения схемотехники использовать вместо микросхем SRAM, чипы FRAM предлагаются в стандартном 48-контактном корпусе FBGA и 44-контактном корпусе TSOP. По сравнению с предыдущими FRAM-продуктами Fujitsu токи записи снижены на 10 % (до 18 мА), а токи в режиме ожидания уменьшены на 50 % (до 150 мкА). Память FRAM компания Fujitsu выпускает чуть более 20 лет и раз за разом показывает всё лучший результат в этой области.

 

 

Но что же не так с FRAM, если она так хороша? Почему у нас везде флеш-память, а не сегнетоэлектрическая? Ответ простой: память FRAM очень и очень плохо масштабируется. По ряду физических особенностей сегнетоэлектрического слоя в чипах площадь ячейки FRAM остаётся не просто большой, а недопустимо большой для производства ёмких энергонезависимых микросхем. В частности, представленная новая память FRAM Fujitsu имеет ёмкость 8 Мбит. На этом фоне все главные достоинства FRAM тают как снег под ярким весенним солнцем. Но для специальных приложений альтернативы FRAM нет и скоро не будет. Остаётся надеяться на прорыв в исследованиях.