Перейти к содержанию

Второе поколение 10-нм техпроцесса Samsung FinFET готово к производству


Рекомендуемые сообщения

В октябре прошлого года компания Samsung Electronics начала массовое производство первых однокристальных систем по 10-нанометровому техпроцессу FinFET, которые используются в Exynos 8895 и Qualcomm Snapdragon 835, лежащих в основе Galaxy S8. Теперь Samsung сообщила о следующем достижении — техпроцесс 10-нм FinFET второго поколения прошел необходимые сертификации и готов к производству.

503766.jpg

Как отмечает разработчик, техпроцесс 10LPP (Low Power Plus) с улучшенной структурой 3D FinFET позволяет на 10% повысить производительность и на 15% снизить энергопотребление устройств по сравнению с первым поколением 10LPE (Low-Power Early).

Также Samsung обещает запустить новую линию по производству 10-нм процессоров нового поколения, запустив линии S3 завода в Корейском городе Хвасон (Hwaseong) в четвертом квартале года, Отметим, что по слухам ряд флагманов 2017 года был задержан именно из-за недостаточного объема производства Snapdragon 835, первые партии которого Samsung зарезервировала под свои нужды, проще говоря, обеспечила Galaxy S8 эксклюзив.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь

Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий

Создать учетную запись

Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!

Регистрация нового пользователя

Войти

Уже есть аккаунт? Войти в систему.

Войти
×
×
  • Создать...