Перейти к содержанию

Samsung открыла новый материал для создания новейшей памяти


Рекомендуемые сообщения

Исследователи института Samsung открыли новый материал для создания новейшей памяти, который назвали аморфным нитридом бора (a-BN).

068e.jpg.12ce301280175d9bf0437627ab4d6d5f.jpg

Стоит отметить, что данное открытие стало возможным благодаря содействию специалистов Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета - именно они помогали ученым из Samsung в поисках необходимого материала.

По данным самих авторов открытия, аморфный нитрид бора в конечном итоге способен заметно приблизить появление полупроводниковых материалов следующего поколения, которые и будут использоваться в новейших DRAM (оперативная память) и NAND (флеш-память).

В качестве необычных плюсов нового материала можно отметить возможность его использования в качестве изолирующего материала, сводящего к минимуму электрические помехи, а также возможность его “выращивания” на пластинах при сравнительно низкой температуре 400°C.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь

Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий

Создать учетную запись

Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!

Регистрация нового пользователя

Войти

Уже есть аккаунт? Войти в систему.

Войти
×
×
  • Создать...