Первые 20-нм транзисторы были выполнены в 2001 году

[душман]

11 июня 2001 года на выставке Computex компания Intel сообщила о том, что ей удалось выполнить первый 20-нм транзистор. Отличилась орегонская лаборатория (Хиллсборо, США). На тот момент времени передовыми считались интегрированные решения Pentium III, выполненные по 180-нм технологическим нормам.

Свой доклад Intel разбавила впечатляющим прогнозом. В то время закон Мура соблюдался наиболее точно. Поэтому выдвигалось предположение, что уже к 2007 году число транзисторов в современных микросхемах дойдет до миллиарда, а их частота увеличится вплоть до 20 ГГц. Как показало время, этим прогнозам не суждено было сбыться. Сейчас только у самых производительных решений тактовая частота может превышать показатель 4 ГГц.

Тем не менее, показательно, какой путь прошла полупроводниковая индустрия. От 20-нм технологии Intel в итоге отказалась в пользу 22 нанометров. Первым таким решением стали процессоры Ivy Bridge, выпущенные 23 апреля 2012 года. То есть от первых лабораторных успехов до реально коммерчески успешных решений прошло почти 11 лет. Как видно, разрабатывать интегральные схемы — задача нетривиальная.

В рамках выставки Computex 2015 Intel наконец-то выпустила свои настольные решения Broadwell, построенные на 14-нм архитектуре. В конце августа в свет вышли процессоры Skylake-S, также произведенные по этому техпроцессу. Однако Intel уже сообщила, что инженеры компании достигли большого успеха в разработке 5-нм транзисторов.