Samsung намерена превзойти Intel и TSMC в рамках техпроцессов тоньше 4 нм

[Ippolitovich]

Представители Samsung Electronics в этом году уже признавали, что в сфере освоения 5-нм и 4-нм технологий компания отстала от конкурентов, но пообещали к середине десятилетия освоить 2-нм техпроцесс, а двумя годами позднее предложить 1,4-нм технологию изготовления чипов. На этой неделе прозвучали новые амбициозные заявления корейского производителя: за пределами 4-нм технологии он собирается превзойти Intel и TSMC.

 

Сегодня Samsung Electronics провела встречу с инвесторами, и глава отдела планирования в сфере контрактного производства Сим Санг Пил (Sim Sang-pil), по информации Bloomberg, в очередной раз пообещал увеличить объёмы выпуска контрактной продукции к 2027 году в 3,3 раза. По словам представителя компании, встречи с клиентами позволяют Samsung выявить их потребность «во втором источнике» (полупроводниковых компонентов) на фоне расширения геополитических рисков. Компания готова предложить множество возможностей для клиентов, которым нужен такой второй источник. Сравнение, надо понимать, идёт с TSMC, чьи основные производственные мощности расположены на Тайване.

 

 

Как пояснил представитель Samsung, компания готова наверстать упущенное в рамках 4-нм и 5-нм технологий с точки зрения конкуренции, когда будет осваивать более продвинутую литографию. Большая ставка в этом вопросе делается на структуру транзисторов с окружающим затвором (GAA). Именно она, по информации руководства Samsung, должна позволить опередить TSMC и Intel. Новое предприятие Samsung Electronics в штате Техас, которое будет построено через пару лет, сосредоточится на обслуживании преимущественно местных клиентов. Наличие такого предприятия в США дополнительно снимает обеспокоенность компаний, получающих чипы от Samsung, возможностью негативного развития событий вокруг Тайваня.