Ippolitovich Опубликовано 13 мая, 2022 Поделиться Опубликовано 13 мая, 2022 На этой неделе компания Western Digital рассказала о планах развития памяти 3D NAND на ближайшие годы. Помимо прочего компания отметила, что вместе со своим партнёром японской компанией Kioxia она разрабатывает 162-слойные чипы флеш-памяти с ячейкой уменьшенной площади и флеш-память повышенной производительности с более чем 200 слоями. Память 3D NAND нового поколения BiCS6 появится ближе к концу текущего года. Это будут на первый взгляд не самые передовые по количеству вертикальных слоёв чипы — всего 162 слоя, что на фоне только что представленных Micron 232-слойных чипов 3D NAND выглядит довольно скромно. Тем не менее, ёмкость у решений WD и Micron одинаковая — 128 Гбайт (1 Тбит). А площадь BiCS6 и вовсе составит максимально компактные в отрасли 68 мм2. Добиться этого компания смогла за счёт заметного снижения физических размеров ячеек памяти, в чём помогло использование нового материала в их структуре. Добавим, память BiCS6 будет хранить четыре бита в каждой ячейке (QLC). Снижение физического объёма ячейки с сочетанием записи четырёх бит в каждую из них должно привести к снижению числа циклов перезаписи, но WD пока не раскрывает это значение. В то же время скорость работы памяти BiCS6 обещает оказаться на 60 % выше, чем в случае современных решений, что позволит использовать её как для выпуска массовых накопителей, так и ёмких SSD серверного назначения. Повышение плотности также должно снизить себестоимость производства, что важно для всех. Не менее интересно выглядит ещё одна новая разработка — память BiCS+ с более чем 200 слоями. Утверждается, что она разрабатывается с нуля преимущественно для SSD серверного назначения. Память BiCS+ появится к 2024 году и обеспечит по сравнению с памятью BiCS6 прирост бит на каждую пластину до 55 %, как и рост скорости до 60 %. Также на 15 % вырастет скорость записи, что для флеш-памяти типа NAND не менее важно, чем всё остальное. В перспективе компания WD как и остальные производители 3D NAND стремится к 500 и более слоям 3D NAND. Выпускать такую память можно только с помощью комбинации множества технологий, включая вертикальную «склейку» кристаллов памяти. Не теряет компания надежду выпустить память с записью пяти бит в каждую ячейку (PLC), но это не менее трудно, чем выпустить 3D NAND с 500 слоями, что отдаляет время её появления. ____________________________________________________________♦♦♦♦♦♦♦♦◄♫►WeissRussland◄♫►♦♦♦♦♦♦◄♠GRODNO♠►♦♦♦♦♦♦♦♦---------------------------------------------------------------------------------------------------------♠ 75.0°e ♣ 53.0°e ♦ 36.0°e ♥ 19.2°e ♠ 13.0°e ♥ 4.8°e ♠ 4.0°w ♣ 5.0°w ♦____________________________________________________________ Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Рекомендуемые сообщения
Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь
Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий
Создать учетную запись
Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!
Регистрация нового пользователяВойти
Уже есть аккаунт? Войти в систему.
Войти